The present invention relates to a double side wall image mask etching process, which comprises the following steps: forming a photoresist pattern on the crosslinking layer; main etching on the crosslinking layer, formed in the middle of materials; atomic layer deposition of the intermediate materials, oxide film growth on the top of the spindle of intermediate material and two side; the top cutting spindle intermediate material and the oxide film, remaining in the lower middle and lower spindle material oxidation; selection of oxide film has high etching selection ratio, etching and removing part of lower intermediate materials, the formation of the spindle between the remaining materials; selection of spindle middle material has high selectivity etchant, etching and removing the lower part the oxidation film can meet the preset residual oxide film height; the remaining spindle intermediate material removed, forming a side wall spaced from each other. The invention improves the etching process by improving the dry etching process, improves the quality of the dry etching process, reduces the occurrence of defects, and improves the product yield.
【技术实现步骤摘要】
双重图形侧墙掩膜刻蚀工艺
本专利技术涉及半导体的制造工艺领域,特别涉及双重图像侧墙掩膜刻蚀工艺。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展,目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构,三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一。在三维存储器的生产中,为了提高器件的集成度,业界已经提出了多种双重图形工艺,其中自对准双沟槽刻蚀图形工艺为其中重要的一种。自对准双沟槽刻蚀图形工艺是通过在预先形成的光刻图形两侧形成侧墙然后刻蚀去除之前形成的光刻图形,并将侧墙图形转印到下层材料,从而得到特征尺寸更小的图形,且获得的图形密度是之前光刻图形密度的两倍。自对准双沟槽刻蚀图形工艺的形成主要依赖于双重图形侧墙掩膜刻蚀工艺,该工艺的原理是先通过主轴刻蚀形成主轴中间材料,然后在主轴中间材料的两侧沉积原子氧化层,之后通过刻蚀主轴中间材料做到一份为二的效果,从而形成双沟槽图形。而原子层氧化(ALDDEP)时的均匀性是需要经受严格要求的,在以往的实验中经常发现原子层氧化后的图形呈现头大身体小的状态,这种形貌会对后续的工艺产生重大影响。例如在原子沉积时,由于头大身体小,相邻的头部区域容易粘合在一起,导致在后续的刻蚀过程中无法打开;或者在刻蚀过程中,导致刻蚀后的侧墙形成头重脚轻的形貌,出现向一侧倾倒的现象,使后续的刻蚀无法打开,区域形的金属无法填充。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决以上问题的至少一个,本专利技术提供一种双重图像侧墙掩膜刻蚀工艺。一种双重图像侧墙掩膜刻蚀工艺,其特征在于,包括以下步骤:在硅衬底的表面依次沉积自旋碳和氮氧化硅,形成自旋碳层和氮氧化硅层;对自旋碳 ...
【技术保护点】
双重图像侧墙掩膜刻蚀工艺,其特征在于,包括以下步骤:在硅衬底的表面依次沉积自旋碳和氮氧化硅,形成自旋碳层和氮氧化硅层;对自旋碳层和氮氧化硅层组成的联合材料层进行主轴刻蚀,形成主轴中间材料;对主轴中间材料进行原子层沉积,在主轴中间材料的顶部和两侧生长氧化膜层;消减氧化膜层的顶部,直至剩余中下部氧化膜层;选择对氧化膜层具有高选择比的刻蚀剂,刻蚀并移除部分主轴中间材料,形成剩余主轴中间材料;选择对主轴中间材料具有高选择比的刻蚀剂,刻蚀并移除部分中下部氧化膜层,得到符合预设高度的剩余氧化膜层;将剩余主轴中间材料移除,使剩余氧化膜层形成侧墙结构。
【技术特征摘要】
1.双重图像侧墙掩膜刻蚀工艺,其特征在于,包括以下步骤:在硅衬底的表面依次沉积自旋碳和氮氧化硅,形成自旋碳层和氮氧化硅层;对自旋碳层和氮氧化硅层组成的联合材料层进行主轴刻蚀,形成主轴中间材料;对主轴中间材料进行原子层沉积,在主轴中间材料的顶部和两侧生长氧化膜层;消减氧化膜层的顶部,直至剩余中下部氧化膜层;选择对氧化膜层具有高选择比的刻蚀剂,刻蚀并移除部分主轴中间材料,形成剩余主轴中间材料;选择对主轴中间材料具有高...
【专利技术属性】
技术研发人员:邵克坚,乐陶然,曾明鑫,张彪,李元凯,刘欢,郭玉芳,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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