温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及双重图像侧墙掩膜刻蚀工艺，包括以下步骤：在光刻胶图形上形成交联层；对交联层进行主轴刻蚀，形成主轴中间材料；对主轴中间材料进行原子层沉积，在主轴中间材料的顶部和两侧生长氧化膜层；消减主轴中间材料和氧化膜层的顶部，剩余中下部主轴中间材...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。