一种稠环化合物及其有机发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种稠环化合物及其有机发光器件，涉及有机光电材料技术领域。一方面，咔唑类结构因其较高的氧化还原电位值而表现出的良好的稳定性，引入咔唑类结构提高了稠环化合物的热稳定性。一方面，低分子带隙芳香烃共轭单元的引入，不但拓展了体系的有效共轭长度，而且一些具有空间扭转张力的结构，有效抑制了分子间π‑π堆叠和激基缔合物的形成，提高了光谱稳定性和化合物的玻璃化温度。另一方面，由于芴及其衍生物具有结构易修饰、宽能隙、高量子效率和发光效率、良好的电学和光学性质等特点，使用本发明专利技术的稠环化合物制备的有机发光器件，尤其是作为有机发光器件中的空穴注入材料，表现出高效率、低驱动电压的优点，优于现有常用OLED器件。

【技术实现步骤摘要】
一种稠环化合物及其有机发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种稠环化合物及其有机发光器件。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiodes,电致发光)凭借其自发光、视角宽、响应速度快、色彩逼真、清晰度高、高发光效率、操作电压低、面板厚度薄、可制作大尺寸和可弯曲性面板以及制作流程简单等突出优势，成为国内外热门的新兴的平板显示产业。为了提高有机发光器件的亮度、效率和寿命，通常在器件中使用多层结构。这些多层结构包括发光层及各种辅助有机层，如：空穴注入层(hole-injectionlayer)、空穴传输层(hole-transportlayer)、电子传输层(electron-transportlayer)等。氧化铟锡(ITO)由于具有较高的透明度和较低的电阻率，在OLEDs中普遍作为阳极使用，但由于ITO功函数与空穴传输层(HTL)的最高占据分子轨道(HOMO)能级相差比较大，工作时会在ITO与HTL之间形成注入势垒，影响器件发光效率。为了提高OLEDs性能，一般在ITO与HTL之间插入空穴注入层，来降低空穴的注入势垒。目前常使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稠环化合物，其特征在于，结构式如式Ⅰ所示：

【技术特征摘要】
1.一种稠环化合物，其特征在于，结构式如式Ⅰ所示：其中，Ar选自C6～C50的取代或未取代的芳基、C10～C50的取代或未取代的稠芳基、C6～C50的取代或未取代的杂芳基、C10～C50的取代或未取代的稠杂芳基中的一种；R1、R2、R3独立的选自C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、C6～C50的取代或未取代的芳基、C10～C50的取代或未取代的稠芳基中的一种；CY选自C6～C50的取代或未取代的芳基、C10～C50的取代或未取代的稠芳基中的一种。2.根据权利要求1所述的一种稠环化合物，其特征在于，Ar选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C10～C30的取代或未取代的稠芳基、C6～C30的取代或未取代的杂芳基、C10～C30的取代或未取代的稠杂芳基中的一种；R1、R2、R3独立的选自C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C10～C30的取代或未取代的稠芳基中的一种；CY选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C10～C30的取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘喜庆，蔡辉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22