掩模衬底结构制造技术

本发明专利技术涉及掩模衬底结构，其关于光刻掩模，且尤其关于光刻掩模衬底结构及制造的方法。该掩模包含形成在石英衬底上且由图案化转移薄膜及吸收层所组成的次解析辅助特征(SRAF,Sub‑Resolution Assist Feature)。

【技术实现步骤摘要】
掩模衬底结构
本专利技术揭示是关于光刻掩模，并且尤其关于光刻掩模衬底结构及制造的方法。
技术介绍
先进技术的掩模需要称为次解析辅助特征(SRAF,Sub-ResolutionAssistFeatures)的微小线路。这些特征因为太小以致于无法印在晶圆上，但是该些特征会影响掩模光学而改善晶圆上的影像。因为该些特征非常小，所以次解析辅助特征在掩模加工期间时常破损。因为掩模衬底的设计，该破损会发生在石英/吸收层介面附近的石英掩模空白中，其中该掩模衬底设计需要蚀刻石英以达到吸收层所需要的光学性质。这样的设计会限制线宽(例如，窄小的线路较容易破损)，降低整体的良率及限制清洁能力(例如，需要轻柔的清洁以便不会损坏次解析辅助特征)。当掩模尺寸随着先进技术而减小时，这问题预期会变得更糟。
技术实现思路
在本专利技术揭示的态样中，掩模包括形成在石英衬底上且由图案化转移薄膜与吸收层所组成的次解析辅助特征(SRAF,Sub-ResolutionAssistFeatures)。在本专利技术揭示的态样中，掩模包括：光学透明衬底；以及图案化吸收层及转移层，包含形成在该光学透明衬底的表面上的次解析辅助特征。该次解析辅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模，包括形成在石英衬底上且由图案化转移薄膜及吸收层所组成的次解析辅助特征(SRAF)。

【技术特征摘要】
2016.06.20 US 15/187,1261.一种掩模，包括形成在石英衬底上且由图案化转移薄膜及吸收层所组成的次解析辅助特征(SRAF)。2.如权利要求1所述的掩模，其中，该图案化转移薄膜为光学透明薄膜。3.如权利要求1所述的掩模，其中，该图案化转移薄膜为二氧化硅。4.如权利要求1所述的掩模，其中，该图案化转移薄膜为氮化硅。5.如权利要求1所述的掩模，其中，该图案化转移薄膜为二氧化硅及氮化硅的梯度。6.如权利要求5所述的掩模，其中，该二氧化硅是由该石英衬底转移的底部层并且该氧化硅是转移进入该吸收层的顶部层。7.如权利要求1所述的掩模，其中，该吸收层为相位偏移氮化硅钼薄膜、在玻璃上的不透明氮化硅钼薄膜(OMOG)或氮化钽。8.如权利要求1所述的掩模，更包括邻接该次解析辅助特征的框架，该框架包括该转移薄膜、该吸收层及在该吸收层上的硬式掩模材料。9.如权利要求1所述的掩模，其中，该图案化转移薄膜具有达到该吸收层的相位偏移的厚度。10.如权利要求9所述的掩模，其中，该图案化转移薄膜具有大约20纳米或以下的厚度。11.一种掩模，包括：光学透明衬底；以及图案化吸收层及转移层，包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·维斯特伦，M·S·劳利斯，A·G·雷德，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY