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本发明涉及掩模衬底结构，其关于光刻掩模，且尤其关于光刻掩模衬底结构及制造的方法。该掩模包含形成在石英衬底上且由图案化转移薄膜及吸收层所组成的次解析辅助特征(SRAF,Sub‑Resolution Assist Feature)。...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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