电子部件的接合构造制造技术

本实用新型专利技术提供一种电子部件的接合构造。电子部件的接合构造具备：第1电子部件，包含：第1基材(11)、形成于该第1基材(11)的安装面(S1)的第1电极(12)、和具有使第1电极(12)的一部分露出的开口以及形成于与第1电极(12)不重合的位置的第1凹部(DP1)并且覆盖第1基材(11)的安装面(S1)的第1绝缘膜(13)；第2电子部件，包含：第2基材(21)、和形成于该第2基材(21)的安装面的第2电极(22)；导电性接合材料(31)，以第1电极(12)与第2电极(22)面对的状态使第1电极(12)与第2电极(22)电导通；和绝缘性接合材料(32)，将第2电子部件的安装面与第1绝缘膜(13)的间隙密封。

【技术实现步骤摘要】
电子部件的接合构造
本技术涉及多个电子部件被接合并构成规定的电路的电子部件的接合构造、以及多个电子部件被接合而构成的电子部件接合体的制造方法。
技术介绍
以往，作为在基板倒装芯片安装裸芯片的方法之一，存在将形成有焊料凸块的裸芯片安装在基板上并进行回流连接的方法。在这样使用焊料凸块来进行倒装芯片安装的情况下，为了防止应力集中于焊料凸块而破断，专利文献1中表示了向裸芯片与基板之间注入底部填料用树脂来使应力缓和的构造。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-113045号公报在如专利文献1所示的向裸芯片与基板之间注入底部填料用树脂的电子部件的连接构造中，存在基板表面的没有电极的区域处的、经由底部填料的基板与裸芯片的接合强度不充分的情况。
技术实现思路
本技术的目的在于，如上述那样，提供一种例如在由基板和与其接合的例如半导体裸芯片等构成的电子部件的接合构造中，得到电子部件彼此的较大的接合强度的电子部件的接合构造以及电子部件接合体的制造方法。·本技术的电子部件的接合构造具备：第1电子部件，包含：第1基材、形成于该第1基材的安装面的第1电极、和具有使所述第1电极的一部分露出的开口以及形成于与所述第1电极不重合的位置的第1凹部并且覆盖所述第1基材的安装面的第1绝缘膜；第2电子部件，包含：第2基材、和形成于该第2基材的安装面的第2电极；导电性接合材料，以所述第1电极与所述第2电极面对的状态使所述第1电极与所述第2电极电导通；和绝缘性接合材料，将所述第2电子部件的安装面与所述第1绝缘膜的间隙密封。通过上述构成，绝缘性接合材料通过包含第1绝缘膜的第1凹部的大面积来将第1电子部件的第1绝缘膜与第2电子部件的安装面的间隙接合。因此，确保第1电子部件与第2电子部件的接合强度。·也可以所述第1电极的厚度比所述第1绝缘膜的厚度厚。由此，第1凹部相对变深，第1电子部件与第2电子部件的接合强度更加变高。·优选所述第1电极是随着远离所述第1基材的安装面而宽度变窄的形状。由此，在将第1绝缘膜覆盖于第1基材的安装面时，由于第1绝缘膜的材料容易流动，空隙难以形成，因此能够提高第1绝缘膜的接合强度。·优选所述绝缘性接合材料的线膨胀系数是所述第1基材的线膨胀系数与所述第2基材的线膨胀系数之间的值。由此，温度变化引发的作用于第1基材和第2基材的应力被缓和，基于绝缘性接合材料的接合强度被维持。此外，能够提高第1电极与第2电极的电连接的可靠性。进一步地，能够得到温度变化引发的变形(弯曲)较小的电子部件的接合构造。·也可以是如下构成：具备第2绝缘膜，该第2绝缘膜具有：使所述第2电极的一部分露出的开口、和形成于与所述第2电极不重合的位置的第2凹部，并且覆盖所述第2基材的安装面，绝缘性接合材料将所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜的间隙密封。由此，第1绝缘膜以及第2绝缘膜相对于绝缘性接合材料的接合面积变大，第1电子部件与第2电子部件的接合强度更加变高。·本技术的电子部件接合体的制造方法包括：第1电子部件制造工序，在第1基材的安装面形成多个第1电极，将所述多个第1电极各自的一部分露出且所述多个第1电极之中相邻的第1电极之间成为第1凹部的第1绝缘膜覆盖于所述第1基材的安装面；第2电子部件制造工序，在第2基材的安装面形成第2电极；接合工序，经由导电性接合材料来使所述第1电极与所述第2电极电导通；和密封工序，通过绝缘性接合材料来密封所述第2电子部件的安装面与所述第1绝缘膜的间隙。通过上述构成，仅通过将第1绝缘膜覆盖于第1基材的安装面，就能够形成第1凹部，第1绝缘膜的形成变得容易。·优选所述第2电子部件制造工序包含在所述第2基材的安装面形成第2绝缘膜的工序，所述第2绝缘膜具有：使所述第2电极的一部分露出的开口、和与所述第2电极不重合的第2凹部。由此，第1绝缘膜以及第2绝缘膜相对于绝缘性接合材料的接合面积变大，第1电子部件与第2电子部件的接合强度更加变高。根据本技术，能够得到第1电子部件与第2电子部件以较强的接合强度而被接合的电子部件的接合构造以及电子部件接合体。附图说明图1是第1实施方式所涉及的电子部件接合体101的主要部分的剖视图。图2是电子部件接合体101的接合前的第1电子部件10以及第2电子部件20的主要部分的剖视图。图3是表示电子部件接合体101的制造方法的图，图3中的(1)～(6)是表示各工序中的状态的剖视图。图4是表示第2实施方式所涉及的电子部件接合体102的制造方法的图，图4中的(1)～(5)是表示各工序中的状态的剖视图。图5是表示第3实施方式所涉及的电子部件接合体103的制造方法的图，图5中的(1)～(5)是表示各工序中的状态的剖视图。图6是第4实施方式所涉及的电子部件接合体104的主要部分的剖视图。图7是第5实施方式所涉及的电子部件接合体105的主要部分的剖视图。图8是表示电子部件接合体105的第1电极12的形成顺序的图，图8中的(1)～(3)是表示各工序中的状态的剖视图。图9是第6实施方式所涉及的电子部件接合体106的主要部分的剖视图。图10是电子部件接合体106的接合前的第1电子部件10以及第2电子部件20的主要部分的剖视图。图11是第7实施方式所涉及的电子部件接合体107的主要部分的剖视图。图12是电子部件接合体107的接合前的第1电子部件10以及第2电子部件20的主要部分的剖视图。-符号说明-AP1、AP2...开口DP1...第1凹部DP2...第2凹部S1、S2...安装面10、10A、10B...第1电子部件11...第1基材12...第1电极12S...Cu箔13...第1绝缘膜20...第2电子部件21...第2基材22...第2电极23...第2绝缘膜31...导电性接合材料32...绝缘性接合材料40...抗蚀剂膜101～107...电子部件接合体。具体实施方式以下，参照附图，举出几个具体的例子，表示本技术的多个具体实施方式。各图中，对相同位置付与相同符号。考虑要点的说明或者理解的容易性，为了方便而分开实施方式进行表示，但能够进行不同的实施方式中所示的构成的局部置换或者组合。第2实施方式以后，省略与第1实施方式共用的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别地，针对基于相同的构成的相同的作用效果，不按照每个实施方式依次提及。《第1实施方式》图1是第1实施方式所涉及的电子部件接合体101的主要部分的剖视图。图2是接合前的第1电子部件10以及第2电子部件20的主要部分的剖视图。本实施方式的电子部件接合体101是第1电子部件10与第2电子部件20的接合体。如图2所示，第1电子部件10包含：第1基材11、形成于该第1基材11的安装面S1的多个第1电极12、和覆盖第1基材11的安装面S1的第1绝缘膜13。第1绝缘膜13具有：使多个第1电极12各自的一部分露出的开口AP1、以及形成于与第1电极12不重合的位置的第1凹部DP1。第2电子部件20包含：第2基材21、和形成于该第2基材21的安装面S2的第2电极22。第1基材11例如是聚酰亚胺薄膜等的多层柔性基板。第1电极12例如是将Cu箔图案化的电极。第1绝缘膜13例如通过聚酰亚胺薄膜的贴付或者高粘度的聚酰亚胺浆料的印刷而形成。第2基材21例如是半导体裸芯片，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件的接合构造，具备：第1电子部件，包含：第1基材、形成于该第1基材的安装面的第1电极、和具有使所述第1电极的一部分露出的开口以及形成于与所述第1电极不重合的位置的第1凹部并且覆盖所述第1基材的安装面的第1绝缘膜；第2电子部件，包含：第2基材、和形成于该第2基材的安装面的第2电极；导电性接合材料，以所述第1电极与所述第2电极面对的状态使所述第1电极与所述第2电极电导通；和绝缘性接合材料，将所述第2电子部件的安装面与所述第1绝缘膜的间隙密封。

【技术特征摘要】
2016.08.26 JP 2016-1663351.一种电子部件的接合构造，具备：第1电子部件，包含：第1基材、形成于该第1基材的安装面的第1电极、和具有使所述第1电极的一部分露出的开口以及形成于与所述第1电极不重合的位置的第1凹部并且覆盖所述第1基材的安装面的第1绝缘膜；第2电子部件，包含：第2基材、和形成于该第2基材的安装面的第2电极；导电性接合材料，以所述第1电极与所述第2电极面对的状态使所述第1电极与所述第2电极电导通；和绝缘性接合材料，将所述第2电子部件的安装面与所述第1绝缘膜的间隙密封。2.根据权利要求1所述的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤慎悟，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP