封装基板及使用该封装基板的半导体封装件制造技术

本实用新型专利技术是关于封装基板及使用该封装基板的半导体封装件。本实用新型专利技术的一实施例提供的封装基板包含：第一介电层、位于该第一介电层的相对两侧的第一导电层与第二导电层，及至少一导通柱。该至少一导通柱经配置以提供该封装基板的不同导电层之间所需的电气连接。该封装基板进一步包含：第一线路结构、第二线路结构、至少一电阻元件及至少一电容元件，其中该第一线路结构与该至少一电阻元件位于该第一导电层，该第二线路结构与该至少一电容元件的第二电极片位于该第二导电层。本实用新型专利技术可将电容器和电阻埋置于封装基板内且保证封装基板的整体小型化。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及使用该封装基板的半导体封装件
本技术涉及半导体封装领域，特别是涉及封装基板及使用该封装基板的半导体封装件。
技术介绍
随着电子产品越来越趋向轻薄、高频及多功能，其电路集成度越来越高。相应的，所使用的集成电路的接脚数和线路布局也不断增多，导致噪声随之增大。为消除噪声或作电性补偿，可在半导体封装结构中增加无源器件以消除噪声和稳定电路。增加无源器件的方式之一是利用表面贴装技术(SMT,surfacemountedtechnology)将无源器件整合到基板上，但缺点在于容易产生阻抗，造成信号串扰，而且不能满足电子产品日益严格的轻薄要求。另外一种方式是使用无源器件埋置技术将无源器件埋入封装基板中，例如业界积极开展的采用高介电常数薄膜的埋入式薄膜电容器技术。可参考中国专利CN101170869B所公开的内置电容器的制作流程，其在基板制作过程中利用薄膜沉积法逐层制作。该制程繁琐，大大延长了封装基板制作流程。此外，也可将整片薄膜电容元件直接与封装基板进行压合，但薄膜电容元件极易在压合过程中产生裂纹或刮痕。提高电容元件的整体厚度可降低上述风险，但同样将无法满足电子产品日益严格的小型化要求。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板，其包含：第一介电层，具有相对的第一侧和第二侧；第一导电层，位于所述第一介电层的第一侧；第二导电层，位于所述第一介电层的第二侧；及至少一导通柱，其经配置以提供所述封装基板的不同导电层之间所需的电气连接；且所述封装基板进一步包含：第一线路结构、第二线路结构、至少一电阻元件及至少一电容元件，其中每一电容元件具有第一电极片和第二电极片；其特征在于所述第一线路结构与所述至少一电阻元件位于所述第一导电层，所述第二线路结构与所述至少一电容元件的第二电极片位于所述第二导电层。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板，其包含：第一介电层，具有相对的第一侧和第二侧；第一导电层，位于所述第一介电层的第一侧；第二导电层，位于所述第一介电层的第二侧；及至少一导通柱，其经配置以提供所述封装基板的不同导电层之间所需的电气连接；且所述封装基板进一步包含：第一线路结构、第二线路结构、至少一电阻元件及至少一电容元件，其中每一电容元件具有第一电极片和第二电极片；其特征在于所述第一线路结构与所述至少一电阻元件位于所述第一导电层，所述第二线路结构与所述至少一电容元件的第二电极片位于所述第二导电层。2.如权利要求1所述的封装基板，其中所述封装基板进一步包含凹槽，其开口在所述封装基板的导...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧宪勋，罗光淋，徐志前，钟宇曦，彭煜靖，
申请(专利权)人：日月光半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31