High voltage bias circuit of avalanche diode APD is disclosed for weak fluorescence measurement, including the control signal control unit, signal conditioning unit, no temperature drift amplification unit and an output buffer unit and feedback control unit, control signal through the signal conditioning unit for signal conditioning, then no temperature drift amplifying unit amplifies by bias voltage the required value, then the output buffer unit and feedback control unit output stability. The invention adopts the temperature drift coefficient of the coupling between components to eliminate the voltage bias circuit with temperature drift, high voltage output with high temperature stability, high output signal increases with decreasing pressure, to meet the high demand of APD bias at work.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于生物医学检测领域，具体涉及应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路。
技术介绍
在生物医学领域，荧光技术常被用来进行物质的定性及定量测量、细胞表面免疫蛋白研究、DNA含量测定等。由于荧光强度非常微弱，而APD（雪崩二极管）可以实现雪崩倍增，并且量子效率高，价格便宜，因此常被用来测试荧光强度。APD正常工作需要几十到几百伏的高压偏置，其倍增因子随着电压的升高而变化，因此为了保证测量结果准确性，需要提供稳定的偏置电压，以保证APD准确的进行荧光强度的测量。APD在光通信领域，已经得到了非常广泛的应用，如美国专利US5625181A，US6031219A，US6643472B1等，但是与其在生物医学领域的应用需求有着很大的不同。光通信中光电接收机通常只需要分辨光信号的’0’（无）和’1’（有）的区别，而在生物医学领域对荧光的研究不只停留在’0’（无）和’1’（有）的阶段，而是要分辨出两种以上，甚至8种不同的强度信号（流式细胞仪应用），并且要保证良好的线性度，因此对于APD输出的偏置电压的稳定性要求更为严格。
【技术保护点】
应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元（1），控制信号调理单元（2）、输出缓冲单元（4）和反馈单元（5），其特征在于，还包括无温漂放大单元（3），其中：所述无温漂放大单元（3）主要包括两个互补的PNP型三极管（31）和第一NPN型三极管（33），其中所述PNP型三极管（31）的发射极连接所述第一NPN型三极管（33）的基级。
【技术特征摘要】
1.应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元（1），控制信号调理单元（2）、输出缓冲单元（4）和反馈单元（5），其特征在于，还包括无温漂放大单元（3），其中：
所述无温漂放大单元（3）主要包括两个互补的PNP型三极管（31）和第一NPN型三极管（33），其中所述PNP型三极管（31）的发射极连接所述第一NPN型三极管（33）的基级。
2.根据权利要求1所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，其特征在于，所述控制信号单元（1）包括温度测量芯片（11），所述信号调理单元（2）主要包括加法器（24），所述温度测量芯片（11）的输出端通过可调电阻（22）连接所述加法器（24）的反相输入端，所述加法器（24）的反相输入端还连接控制信号端Vctrl，所述加法器（24）的输出端还连接所述PNP型三极管（31）的基级。
3.根据权利要求2所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：武晓东，陈忠祥，王策，马玉婷，裴智果，钟金凤，严心涛，吴云良，
申请(专利权)人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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