一种整流二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种整流二极管，包括支架（1）和引线（2），所述支架（1）上设有焊锡层（3），所述焊锡层（3）上设有N型半导体（4），所述N型半导体（4）与引线（2）通过PN结（5）连接。本发明专利技术结构设计合理，生产成本体，使用效果好，符合生产生活的需要。

【技术实现步骤摘要】
一种整流二极管
本专利技术涉及机械领域，具体涉及一种整流二极管。
技术介绍
整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。现有的整流二极管结构设计不合理，不适于工业化大生产。
技术实现思路
本专利技术的目的克服现有技术的问题提供一种整流二极管。本专利技术的一种整流二极管，包括支架和引线，所述支架上设有焊锡层，所述焊锡层上设有N型半导体，所述N型半导体与引线通过PN结连接。作为本专利技术的进一步改进，所述引线一端设有合金电极，所述合金电极与PN结固定连接。焊锡层的厚度为0.01-0.3mm。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点。本专利技术结构设计合理，生产成本体，使用效果好，符合生产生活的需要。附图说明图1为本专利技术整流二极管的结构示意图。图中：1-支架，2-引线，3-焊锡层，4-N型半导体，5-PN结，6-合金电极。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的解释说明。如图1所示，一种整流二极管，包括支架1和引线2，支架1上设有焊锡层3，焊锡层3上设有N型半导体4，N型半导体4与引线2通过PN结5连接。引线2一端设有合金电极6，合金电极6与PN结5固定连接。焊锡层3的厚度为0.2mm。上述内容为本专利技术的示例及说明，但不意味着本专利技术可取得的优点受此限制，凡是本专利技术实践过程中可能对结构的简单变换、和/或一些实施方式中实现的优点的其中一个或多个均在本申请的保护范围内。

【技术保护点】
一种整流二极管，其特征在于：包括支架（1）和引线（2），所述支架（1）上设有焊锡层（3），所述焊锡层（3）上设有N型半导体（4），所述N型半导体（4）与引线（2）通过PN结（5）连接。

【技术特征摘要】
1.一种整流二极管，其特征在于：包括支架（1）和引线（2），所述支架（1）上设有焊锡层（3），所述焊锡层（3）上设有N型半导体（4），所述N型半导体（4）与引线（2）通过PN结（5）连接。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏振宇，
申请(专利权)人：夏振宇，
类型：发明
国别省市：江苏,32