半导体器件制造技术

各个实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括引线框架，该引线框架包括接触管脚和具有突出的连接形成物的半导体裸片。柔性支撑构件被设置在引线框架和半导体裸片之间并支撑半导体裸片。柔性支撑构件具有在引线框架和半导体裸片之间延伸的导电线。柔性支撑构件的导电线与引线框架的接触管脚以及半导体裸片的连接形成物电耦合。

semiconductor device

Embodiments relate to semiconductor devices. A semiconductor device includes a lead frame including a contact pin and a semiconductor bare sheet having a prominent connecting formation. The flexible support member is disposed between the lead frame and the semiconductor bare sheet and supports the semiconductor bare sheet. The flexible support member has a guide wire extending between the lead frame and the semiconductor bare sheet. The flexible support member is connected with the lead pin of the lead frame and the connecting structure of the semiconductor bare sheet, and the electric coupling is formed.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本说明书涉及半导体器件。一个或多个实施例可以应用于具有暴露焊盘的基于金属引线框架的封装。
技术介绍
当前的基于引线框架的塑料封装可以包括将器件耦合到金属引线框架并且允许热功率和电功率耗散的裸片附接材料。由于封装经受可靠性应力测试，比如热循环测试(“TCT”)，可能危及裸片附接完整性。脱层可能由于与涉及的材料，包括硅、裸片附接材料(“DAM”)、铜合金等中的不同的热膨胀系数(“CTE”)值相关的热机械应力而发生。脱层可导致在接触的两种不同材料之间的界面处，比如在硅/DAM和/或DAM/引线框架界面处，形成间隙。此外，比如在高温存储(“HTS”)测试之后，在DAM的主体内可能形成不连续。这些事件可能对封装可靠性有害。对于包括暴露焊盘的封装而言，尤其是这样，因为热/电路径的完整性受到不利影响。封装的质量和可靠性要求变得越来越苛刻，特别是在诸如汽车市场之类的领域中，其中提供无脱层封装的能力可能代表重要因素。已经开发了各种方法以抵抗裸片附接脱层，主要集中在材料的改进和/或新材料的开发。例如，可以以各种方式关注引线框架的精加工，包括但不限于：(1)通过提供引线框架表面的“粗糙化”处理，可以增强对裸片附接材料的机械粘附，或者(2)经由在引线框架表面上沉积有机覆层以增强对裸片附接材料的化学粘附。也已经针对裸片附接材料提出了低应力材料的使用。虽然某些解决方案已经刺激了一些商业利益，但是这些都不能被认为能够以令人满意的方式解决附接脱层的问题。
技术实现思路
本技术的实施例旨在提供至少能够部分地解决上述问题的半导体器件。根据一个方面，提供了一种半导体器件，包括：引线框架，所述引线框架包括接触管脚并且具有中心区域；位于所述中心区域处的半导体裸片，所述半导体裸片具有突出的连接形成物；柔性支撑构件，所述柔性支撑构件被设置在所述引线框架和所述半导体裸片之间并支撑所述半导体裸片，所述柔性支撑构件具有在所述引线框架和所述半导体裸片之间延伸的导电线；以及其中所述柔性支撑构件的所述导电线与所述引线框架的所述接触管脚以及与所述半导体裸片的所述连接形成物电耦合。在一些实施例中，所述半导体裸片的连接形成物包括焊料凸块。在一些实施例中，所述半导体裸片的连接形成物包括金属柱。在一些实施例中，所述半导体裸片的连接形成物包括铜柱。在一些实施例中，半导体器件还包括在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述引线框架的所述接触管脚之间的金属接合连接。在一些实施例中，半导体器件还包括在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述半导体裸片的所述连接形成物之间的金属接合连接。在一些实施例中，半导体器件还包括在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述引线框架的所述接触管脚之间以及在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述半导体裸片的所述连接形成物之间的金属接合连接。在一些实施例中，所述柔性支撑构件包括柔性支撑层，所述柔性支撑层具有在其上延伸的所述导电线。在一些实施例中，所述半导体裸片的连接形成物延伸穿过所述柔性支撑构件的所述柔性支撑层。在一些实施例中，半导体器件还包括模制到所述引线框架、所述半导体裸片和所述柔性支撑构件上的封装。在一些实施例中，所述半导体裸片在所述封装的表面处暴露出来。在一些实施例中，所述柔性支撑构件包括由聚合物材料制成的柔性支撑层，并且其中，所述引线框架由金属材料制成。根据另一方面，提供了一种半导体器件，包括：柔性聚合物支撑构件，所述柔性聚合物支撑构件支撑具有连接形成物的半导体裸片；导电线，所述导电线被设置在所述柔性聚合物支撑构件上并且被电连接到所述连接形成物；金属引线框架，所述金属引线框架具有环形形状并且定义接触管脚；以及其中所述柔性聚合物支撑构件上的所述导电线与所述引线框架的所述接触管脚电耦合。在一些实施例中，所述金属引线框架定义围绕中心区域的内周界部分，所述导电线被附接到所述引线框架的内周界部分。在一些实施例中，半导体器件还包括模制到所述引线框架、所述半导体裸片和所述柔性聚合物支撑构件上的封装，所述半导体裸片的表面从所述封装暴露出来。在一些实施例中，所述半导体裸片的暴露表面与所述封装的上表面共面。在一些实施例中，所述柔性聚合物支撑构件包括柔性支撑层，所述半导体裸片的连接形成物延伸穿过所述柔性支撑层以接触所述导电线。在一些实施例中，半导体器件包括模制到所述引线框架、所述半导体裸片和所述柔性聚合物支撑构件上的封装，所述半导体裸片的表面从所述封装暴露出来，所述引线框架的所述接触管脚向下成角度，以延伸远离所述半导体裸片的所述暴露表面。在一些实施例中，半导体器件包括模制到所述引线框架、所述半导体裸片和所述柔性聚合物支撑构件上的封装，所述半导体裸片的表面从所述封装暴露出来，所述引线框架的所述接触管脚向下成角度，以延伸朝向所述半导体裸片的所述暴露表面。一个或多个实施例提供了一种基于引线框架的塑料封装，其可能具有暴露的裸片的底表面，能够省去裸片附接材料-DAM和/或导线的使用。在一个或多个实施例中，半导体器件(例如集成电路，比如IC器件或裸片)可以借助于铜柱或焊料凸块被耦合到柔性衬底(“柔性件”)并且被附接到平面金属引线框架的引脚，从而省去用于容纳裸片的常规裸片焊盘和/或分流条(tiebar)。在一个或多个实施例中，柔性金属迹线可以被设计成在裸片和引线框架之间提供电连接。在一个或多个实施例中，可以有效地抵抗裸片/DAM和/或DAM/裸片焊盘界面处的裸片附接脱层。在一个或多个实施例中，这也可以应用于DAM降级，其中令人满意地降低了热/电耗散降级。一个或多个实施例可以提供以下优点中的一个或多个：(1)可以省去裸片附接材料或DAM，使得在裸片/DAM和/或DAM/裸片-焊盘界面处没有芯片附接脱层，也不会发生DAM降级；这可能导致热/电耗散退化被有效地抵消，(2)可以经由暴露的裸片提高功率耗散，而不存在由DAM材料，裸片焊盘和相关界面提供的热阻；这可以使器件操作温度得到改善；和(3)由于用柔性导电迹线替换常规导线的可能性，可以在裸片-引线框架布线连接中实现增加的柔性。与标准工艺流程相比，可以实现更简单的工艺流程，(a)由于可以省去裸片焊盘的存在，可以降低引线框架设计的复杂性和成本：这可以有助于通过封装体尺寸而具有单个引线框架并且实现内引线的形状标准化，或者(b)由于省去裸片焊盘和DAM的可能性，可以减小封装体的厚度。附图说明现在将参照附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例，其中：图1至图4是一个或多个实施例中的步骤的示例；和图5至图7是适于包括若干实施例的各种半导体器件封装的示例。具体实施方式应当理解，为了说明的清楚起见，各个附图可能没有以相同的比例绘制。在随后的描述中，示出了一个或多个具体细节，旨在提供对实施例的示例的深入理解。实施例可以通过一个或多个具体细节或者利用其他方法、组件、材料等来获得。在其他情况下，未详细示出或描述已知的结构、材料或操作，使得实施例的某些方面不会变模糊。在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指出关于该实施例描述的特殊配置、结构、特性至少符合一个实施例。因此，可能存在于本说明书中的一个或多个点中的诸如“在实施例中”或“在一个(或多个)实施例中”的短语不一定指同一个实施例。此外，如结合任一附图所例示的特定构造、结构或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架包括接触管脚并且具有中心区域；位于所述中心区域处的半导体裸片，所述半导体裸片具有突出的连接形成物；柔性支撑构件，所述柔性支撑构件被设置在所述引线框架和所述半导体裸片之间并支撑所述半导体裸片，所述柔性支撑构件具有在所述引线框架和所述半导体裸片之间延伸的导电线；以及其中所述柔性支撑构件的所述导电线与所述引线框架的所述接触管脚以及与所述半导体裸片的所述连接形成物电耦合。

【技术特征摘要】
2016.04.20 IT 1020160000405871.一种半导体器件，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架包括接触管脚并且具有中心区域；位于所述中心区域处的半导体裸片，所述半导体裸片具有突出的连接形成物；柔性支撑构件，所述柔性支撑构件被设置在所述引线框架和所述半导体裸片之间并支撑所述半导体裸片，所述柔性支撑构件具有在所述引线框架和所述半导体裸片之间延伸的导电线；以及其中所述柔性支撑构件的所述导电线与所述引线框架的所述接触管脚以及与所述半导体裸片的所述连接形成物电耦合。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体裸片的连接形成物包括焊料凸块。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体裸片的连接形成物包括金属柱。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体裸片的连接形成物包括铜柱。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述引线框架的所述接触管脚之间的金属接合连接。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述半导体裸片的所述连接形成物之间的金属接合连接。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述引线框架的所述接触管脚之间以及在所述柔性支撑构件的所述导电线和所述半导体裸片的所述连接形成物之间的金属接合连接。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述柔性支撑构件包括柔性支撑层，所述柔性支撑层具有在其上延伸的所述导电线。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体裸片的连接形成物延伸穿过所述柔性支撑构件的所述柔性支撑层。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括模制到所述引线框架、所述半导体裸片和所述柔性支撑构件上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿里戈尼，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利,IT