System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电压调节器电路和对应装置制造方法及图纸_技高网

电压调节器电路和对应装置制造方法及图纸

技术编号:40912061 阅读:10 留言:0更新日期:2024-04-18 14:40
一种电路包括:供电节点,其接收供电电压;输出节点,其提供已调节电压;启动电路装置,其耦合到供电节点电路装置;电流发生器电路装置,其耦合到启动电路装置并产生电流电路装置;带隙节点,其耦合到带隙电路装置,以接收带隙电压;倍增器电路装置,其耦合到带隙节点和电流发生器电路装置,以接收电流并对该电流应用缩放;第一晶体管,其提供跨第一晶体管节点和第二晶体管节点阈值电压降;第一电阻式元件,其介于第一晶体管和带隙节点之间;第二电阻式元件,其耦合在地和第一晶体管的第二节点之间;以及运算放大器,其接收作为带隙电压、跨第一晶体管的阈值电压以及跨第一电阻式元件和第二电阻式元件的电压降的函数的预调节电压。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及电压调节器电路和方法。一个或多个实施例可以应用于按比例降低针对低电压敏感电路装置(circuitry)(例如,诸如带隙电路、运算放大器电路和数字电路)的输入电压。


技术介绍

1、在低静态、高电压低压差调节器(ldo)中,期望在零负载下具有超低静态电流的纳功率预调节器。

2、例如,其静态电流消耗(当前称为关机电流)可以表示ldo的总电流的相关部分,特别是在关断模式下(例如,当使能信号en处于第一逻辑电平,诸如逻辑电平“0”时)。

3、在中电压应用和高电压应用中,预调节器能够用于按比例降低输入电压并偏置精确的低压负载电路装置,诸如带隙、运算放大器、欠压锁定、比较器、pll、具有数千个或更多个门的数字部件。

4、为了减小偏置电流,期望减小硅面积。

5、用于减小偏置电流的已知架构涉及若干个电路和组件,诸如齐纳(zener)二极管、一致电阻器、电流发生器等,对面积占用有相关影响。


技术实现思路

1、一个或多个实施例的目的是有助于克服上述缺点。

2、根据一个或多个实施例,该目的可以经由具有所附的权利要求中阐述的特征的电路来实现。

3、一个或多个实施例可以涉及对应的电压调节器装置。

4、权利要求是本文中参考实施例提供的技术教导的组成部分。

5、一个或多个实施例有助于减小电路装置的面积占用。

6、在一个或多个实施例中,高输入电压预调节器涉及低静态消耗。

7、一个或多个实施例提供了更紧凑的解决方案。

8、一个或多个实施例使用了数量减少的电阻器和电子组件。

9、一个或多个实施例有助于节省硅面积和功耗。

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【技术保护点】

1.一种电路,包括:

2.根据权利要求1所述的电路,其中:

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述电流发生器电路装置包括Caprio单元,所述Caprio单元包括Caprio单元开关的四元组,其中:

4.根据权利要求3所述的电路,其中:

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述电流发生器电路装置被配置为产生所述第一电流的所述第一电流强度和所述第二电流的所述第二电流强度,所述第一电流的所述第一电流强度表示为:

6.根据权利要求1所述的电路,其中:

7.根据权利要求1所述的电路,其中所述倍增器电路装置包括二极管连接的晶体管的对,其中二极管连接的晶体管的所述对中的二极管连接的晶体管具有相同的晶体管面积。

8.一种电压调节器装置,包括:

9.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中所述至少一个负载包括从以下电路中选择的至少一个负载电路:第二带隙电路、比较器电路或运算放大器电路。

10.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中:

11.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中所述电流发生器电路装置包括Caprio单元,所述Caprio单元包括Caprio单元开关的四元组,其中:

12.根据权利要求11所述的电压调节器装置,其中:

13.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中所述电流发生器电路装置被配置为产生所述第一电流的所述第一电流强度和所述第二电流的所述第二电流强度,所述第一电流的所述第一电流强度表示为:

14.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中:

15.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中所述倍增器电路装置包括二极管连接的晶体管的对,其中二极管连接的晶体管的所述对中的二极管连接的晶体管具有相同的晶体管面积。

16.一种电路,包括:

17.根据权利要求16所述的电路,其中:

18.根据权利要求16所述的电路,其中所述电流发生器电路装置包括Caprio单元,所述Caprio单元包括Caprio单元开关的四元组,其中:

19.根据权利要求16所述的电路,其中:

20.根据权利要求16所述的电路,其中所述倍增器电路装置包括二极管连接的晶体管的对,其中二极管连接的晶体管的所述对中的二极管连接的晶体管具有相同的晶体管面积。

...

【技术特征摘要】

1.一种电路,包括:

2.根据权利要求1所述的电路,其中:

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述电流发生器电路装置包括caprio单元,所述caprio单元包括caprio单元开关的四元组,其中:

4.根据权利要求3所述的电路,其中:

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述电流发生器电路装置被配置为产生所述第一电流的所述第一电流强度和所述第二电流的所述第二电流强度,所述第一电流的所述第一电流强度表示为:

6.根据权利要求1所述的电路,其中:

7.根据权利要求1所述的电路,其中所述倍增器电路装置包括二极管连接的晶体管的对,其中二极管连接的晶体管的所述对中的二极管连接的晶体管具有相同的晶体管面积。

8.一种电压调节器装置,包括:

9.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中所述至少一个负载包括从以下电路中选择的至少一个负载电路:第二带隙电路、比较器电路或运算放大器电路。

10.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中:

11.根据权利要求8所述的电压调节器装置,其中所述电流发生器电路装置包括caprio单元...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·里佐
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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