【技术实现步骤摘要】
本公开涉及微机械或微机电器件以及微机电换能器，具体地，该结构包括具有在其中延伸的一个或多个防粘滞凸块的掩埋腔。
技术介绍
1、众所周知，集成压力传感器可以采用微制造技术。这些传感器通常包括被悬置在半导体主体中具有的腔之上的薄膜或隔膜。彼此连接的压阻元件形成在膜内，并且连接在惠斯通电桥中。当受到压力时，膜发生变形，导致压阻元件的电阻的变化，并且因此导致惠斯通电桥的不平衡。备选地，电容式传感器是可用的，其中膜提供电容器的第一板，而第二板由固定参考提供。在使用中，膜的偏转生成电容器的电容的变化，该电容的变化可以被检测，并且与施加在膜上的压力相关联。
2、在微机械器件中在特定条件发生的显著缺陷为固定元件的可移动结构和与其相邻的固定元件的不可逆粘滞或者和衬底的不可逆粘滞。很明显，该现象可能会以不可预测的方式带来严重后果，甚至使得受影响的微机电系统(mems)无法工作。具体地，在膜的情况下，膜与该膜悬置在其上的衬底的粘滞使其不可用。
3、粘滞现象通常由两个接触的主体表面之间施加的表面力生成。当然，接触区越宽，表面之间的相互作...
【技术保护点】
1.一种微机电器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微机电器件，其特征在于，所述第二防粘滞凸块与所述第一防粘滞凸块对准，并且面向所述第一防粘滞凸块。
3.根据权利要求2所述的微机电器件，其特征在于，所述第一防粘滞凸块和所述第二防粘滞凸块朝向彼此突出。
4.根据权利要求3所述的微机电器件，其特征在于，所述半导体主体是单晶硅主体、所述膜是单晶硅膜、所述第一防粘滞凸块以及所述第二防粘滞凸块是单晶硅凸块。
5.根据权利要求4所述的微机电器件，其特征在于，所述第一防粘滞凸块和所述第二防粘滞凸块具有在0.01μm至1μm...
【技术特征摘要】
1.一种微机电器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微机电器件，其特征在于，所述第二防粘滞凸块与所述第一防粘滞凸块对准，并且面向所述第一防粘滞凸块。
3.根据权利要求2所述的微机电器件，其特征在于，所述第一防粘滞凸块和所述第二防粘滞凸块朝向彼此突出。
4.根据权利要求3所述的微机电器件，其特征在于，所述半导体主体是单晶硅主体、所述膜是单晶硅膜、所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚，E·杜奇，S·尼科利，R·卡姆佩德利，I·瓦里斯科，L·滕托里，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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