半导体器件的形成方法技术

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，基底具有中心区域和边缘区域；在基底上由下到上依次形成金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层；刻蚀金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层直至暴露出基底表面，在中心区域和边缘区域形成金属层、牺牲层和阻挡层；形成覆盖阻挡层和基底的第一层间介质层；平坦化第一层间介质层直至暴露出中心区域和边缘区域阻挡层的顶部表面；刻蚀去除阻挡层和部分厚度的第一层间介质层，且使第一层间介质层的顶部表面与牺牲层的底部表面齐平；去除牺牲层后，形成覆盖金属层和第一层间介质层的第二层间介质层。所述方法提高了半导体器件的边缘区域和中心区域的厚度均一性，且降低工艺成本。

Method for forming semiconductor device

Including the method of forming a semiconductor device: providing a substrate, the substrate has the center area and the edge area; on the substrate from bottom to top to form a metal material layer, the sacrificial layer and barrier material layer; etching the metal material layer, the sacrificial layer and barrier material layer to expose the substrate surface, forming a metal layer in the central region and the edge region of sacrificial layer and barrier layer; covering the barrier layer between the first layer and the substrate layer; planarizing the first interlayer dielectric layer to expose the center area and the edge area from the top of the surface layer; etching the first layer is removed and a portion of the thickness of the barrier layer between the dielectric layer and the bottom. The surface of the top surface of the sacrificial layer and the first interlayer dielectric layer flush; removing the sacrificial layer, forming a second layer covering the metal layer and the first interlayer dielectric layer between the dielectric layer. The method improves the thickness uniformity of the edge region and the central region of the semiconductor device, and reduces the process cost.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的发展，对于集成电路中各种器件的精密度的要求日益提高，而晶圆的边缘区域和中心区域的厚度均一性对于后续工艺的精密度影响至关重要。现有技术在功率器件中，如射频电路器件，需要形成金属路线层，通常该金属路线层的厚度在2μm以上。形成具有所述金属路线层的半导体器件的基本步骤，参考图1和图2，包括：提供半导体衬底100，所述半导体衬底100具有中心区域(I区域)和边缘区域(Ⅱ区域)；在半导体衬底100上形成绝缘层110；在绝缘层110上制作金属路线层120；形成覆盖金属路线层120和半导体衬底100的层间介质层130；平坦化所述层间介质层130。然而，现有技术形成的半导体器件中心区域(I区域)和边缘区域(Ⅱ区域)的厚度均一性较差，且工艺成本较高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，以使得半导体器件的中心区域和边缘区域的厚度均一性得到提高，同时降低工艺成本。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有中心区域和边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有中心区域和边缘区域；在所述基底上由下到上依次形成金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层；刻蚀所述金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层直至暴露出基底表面，在所述中心区域和边缘区域形成金属层、牺牲层和阻挡层；形成覆盖所述阻挡层和基底的第一层间介质层；平坦化所述第一层间介质层直至暴露出中心区域和边缘区域阻挡层的顶部表面；刻蚀去除所述阻挡层和部分厚度的第一层间介质层，且使所述第一层间介质层的顶部表面与所述牺牲层的底部表面齐平；去除所述牺牲层后，形成覆盖所述金属层和第一层间介质层的第二层间介质层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有中心区域和边缘区域；在所述基底上由下到上依次形成金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层；刻蚀所述金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层直至暴露出基底表面，在所述中心区域和边缘区域形成金属层、牺牲层和阻挡层；形成覆盖所述阻挡层和基底的第一层间介质层；平坦化所述第一层间介质层直至暴露出中心区域和边缘区域阻挡层的顶部表面；刻蚀去除所述阻挡层和部分厚度的第一层间介质层，且使所述第一层间介质层的顶部表面与所述牺牲层的底部表面齐平；去除所述牺牲层后，形成覆盖所述金属层和第一层间介质层的第二层间介质层。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5nm～5000nm。4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡材料层的工艺为等离子体化学气相沉积工艺、亚大气压化学气相沉积工艺或低压化学气相沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪登峰，杨俊，邵群，胡宗福，刘洪涛，刘浩，钱志刚，王晨骁，肖中强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31