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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，基底具有中心区域和边缘区域；在基底上由下到上依次形成金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层；刻蚀金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层直至暴露出基底表面，在中心区域和边缘区域形成金属层、牺牲层和阻挡层；形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。