The invention provides a method for manufacturing a conductive pattern, a conductive pattern and a display substrate. The method includes: forming a conductive layer on a substrate; forming a protective layer pattern on the conductive layer; the pattern of the protection layer as a mask on the conductive layer by plasma bombardment etching, forming a conductive transition graph; graphic of the protection layer as a mask for the conductive the transition graph for wet etching to form a conductive pattern, etching surface of the conductive pattern with slope; removal of the protective layer pattern. In the scheme of the invention, the first conductive layer is etched by plasma bombardment, the prototype structure forming a conductive pattern, then use the wet etching of fast etching, eventually forming a conductive pattern with a gradient, because the whole process of wet etching time is short, so it is not easy to make the conductive pattern etching occurred phenomenon, so as to get conductive the complete graph structure, can improve the yield of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板
本专利技术涉及导电图形制作领域,特别是一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板。
技术介绍
在目前常规的显示面板中,显示基板上设置有各类导电图形(例如信号线、栅极、源极、漏极等),而导电图形的工艺好坏,可决定信号传输的效率,从而影响显示面板显示画面。目前,在显示基板制作导电图形的方法是先沉积导电材料层,之后在导电材料层上涂覆光刻胶,通过曝光、显影工艺,使光刻胶形成保护图形,并以保护图形为掩膜,对导电材料层进行湿法刻蚀,使得导电材料层图案化后形成导电图形。然而,经不断实践发现,现有湿法刻蚀需要较长的刻蚀时间,刻蚀液容易过刻蚀一部分保护图形,使得保护图形难以起到掩膜作用,从而形成如图1所示的导电图形结构。在图1中,被过刻蚀的保护图形100无法提供刻蚀保护,因此最终形成的导电图形200侧向腐蚀严重,从而影响了信号传输,最终导致画面无法得到正常显示。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有的导电图形制作工艺容易对导电图形造成过刻蚀而影响信号传输的问题。为实现上述目的,一方面,本专利技术的实施例提供一种导电图形的制作方法,包括:在 ...
【技术保护点】
一种导电图形的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上形成导电层;在所述导电层上形成保护层的图形;以所述保护层的图形为掩膜,对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀,形成导电过渡图形;以所述保护层的图形为掩膜,对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形,所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度;去除所述保护层的图形。
【技术特征摘要】
1.一种导电图形的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上形成导电层;在所述导电层上形成保护层的图形;以所述保护层的图形为掩膜,对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀,形成导电过渡图形;以所述保护层的图形为掩膜,对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形,所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度;去除所述保护层的图形。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,以所述保护层的图形为掩膜,对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀包括:以所述保护层的图形为掩膜,使用Ar+离子对所述导电层进行轰击刻蚀。3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,以所述保护层的图形为掩膜,对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀形成导电图形包括:以所述保护层的图形为掩膜,使用刻蚀液浸泡或喷淋导电过渡图形,从而使得所述导电图形的刻蚀侧面的坡度角在预设范围内。4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述预设范围为30°~60°。5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述导电层包括第一导电薄膜和第二导电薄膜,所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫奎,段献学,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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