一种基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，特别涉及一种基板及显示装置。该基板包括信号走线和静电释放总线，信号走线与静电释放总线之间设有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和与有源层相对的浮栅结构；源电极与信号走线电连接，漏电极与静电释放总线电连接；浮栅结构与信号走线之间设有至少一对尖端放电结构，和/或浮栅结构与静电释放总线之间设有至少一对尖端放电结构。上述基板通过设置在薄膜晶体管与信号走线和静电释放总线之间的尖端放电结构快速释放静电，并且基板中用于释放静电的结构占用的空间较小，有利于基板中结构以及走线的布局。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别涉及一种基板及显示装置。
技术介绍
现有显示装置为了达到防静电的目的，一般在基板上设有静电释放(ESD)装置。现有的静电释放装置采用浮栅结构(Gate Floating)释放多余电荷，静电释放装置的电路原理图如图1所示，在信号线(Signal Line)B和总线(Bus line)A之间连接有薄膜晶体管(TFT)101、耦合电容C1和耦合电容C2，并且其中一个耦合电容C1设置在薄膜晶体管101的浮栅结构与源电极之间，另一个耦合电容C2连接在薄膜晶体管101的浮栅结构与漏电极之间。静电释放装置在正常工作过程中，为了减小漏电流，并保证信号正常工作，需要将耦合电容C1和耦合电容C2的电容值设置的足够大，而耦合电容的电容值较大时耦合电容的体积也较大，导致需要占用较大的布置空间，因此，现有静电释放装置存在因占用较大布置空间而不利于结构及走线布局的问题。
技术实现思路
本技术提供了一种基板及显示装置，该基板中用于释放静电的结构占用的空间较小，有利于基板中结构以及走线的布局。为达到上述目的，本技术提供以下技术方案：一种基板，包括信号走线和静电释放总线，所述信号走线和所述静电释放总线之间设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和与所述有源层相对的浮栅结构；所述源电极与所述信号走线电连接，所述漏电极与所述静电释放总线电连接；所述浮栅结构与所述信号走线之间设有至少一对
尖端放电结构，和/或所述浮栅结构与所述静电释放总线之间设有至少一对尖端放电结构。在上述基板中，浮栅结构与信号走线之间设有的至少一对尖端放电结构用于：当在信号走线上因集聚较多静电荷而出现瞬间高电压时，信号走线会通过其与浮栅结构之间设置的至少一对尖端放电结构进行尖端放电，进而使浮栅结构具有高电位，进而，薄膜晶体管的有源层在浮栅结构的作用下转换为导体状态，进而将薄膜晶体管的源电极和漏电极导通，从而使集聚在信号走线上的静电荷通过瞬间导通的薄膜晶体管流向静电释放总线进行静电释放。同理，在上述基板中，浮栅结构与静电释放总线之间设有的至少一对尖端放电结构用于：当静电释放总线上因集聚较多静电荷而出现瞬间高电压时，静电释放总线会通过其与浮栅结构之间设置的至少一对尖端放电结构进行尖端放电，进而使浮栅结构具有高电位，进而，薄膜晶体管的有源层在浮栅结构的作用下转换为导体状态，进而将薄膜晶体管的源电极和漏电极导通，使集聚在静电释放总线上的静电荷通过瞬间导通的薄膜晶体管流向信号走线进行静电释放。上述基板能够通过设置在薄膜晶体管的浮栅结构与信号走线和/或静电释放总线之间的尖端放电结构快速释放静电，因为尖端放电结构具有结构简单和体积小的特点，所以基板中用于释放静电的结构占用的空间较小，有利于基板中结构以及走线的布局。优选地，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体材料。优选地，所述静电释放总线上设有与至少一条所述信号走线一一对应的延伸部；每一对相互对应的信号走线和延伸部中：所述延伸部的至少一部分的延伸方向与所述信号走线的延伸方向平行，且所述延伸部与所述信号走线之间设有一个所述薄膜晶体管；所述薄膜晶体管中，漏电极与所述延伸部电连接；所述浮栅结构的长度方向与所述信号走线延
伸方向平行，且所述浮栅结构与所述静电释放总线之间的尖端放电结构位于所述浮栅结构与所述延伸部之间。优选地，所述静电释放总线上设有与至少一条所述信号走线一一对应的延伸部；每一对相互对应的信号走线和延伸部中：所述延伸部的至少一部分的延伸方向与所述信号走线的延伸方向平行，且所述延伸部与所述信号走线之间设有一个所述薄膜晶体管；所述薄膜晶体管中，漏电极与所述延伸部电连接；所述浮栅结构的长度方向与所述信号走线延伸方向垂直，且所述浮栅结构与所述静电释放总线之间的尖端放电结构位于所述浮栅结构与所述延伸部之间。优选地，所述信号走线的延伸方向与所述静电释放总线的延伸方向相交，所述信号走线与所述静电释放总线之间的薄膜晶体管中，浮栅结构的长度方向与所述信号走线的延伸方向平行，或者，浮栅结构的长度方向与所述静电释放总线的延伸方向平行。优选地，至少一个所述薄膜晶体管具有的浮栅结构与所述信号走线之间设有两对所述尖端放电结构，沿所述浮栅结构的长度方向，两对所述尖端放电结构中，一对尖端放电结构设置于所述薄膜晶体管的有源层一侧，另一对尖端放电结构设置于所述薄膜晶体管的有源层的另一侧。优选地，所述浮栅结构与所述静电释放总线之间设有一对尖端放电结构，沿所述浮栅结构的长度方向，所述浮栅结构与所述静电释放总线之间的尖端放电结构处于所述浮栅结构的中部。优选地，所述浮栅结构与所述静电释放总线之间设有一对尖端放电结构，所述浮栅结构与所述信号走线之间设有一对尖端放电结构，沿所述浮栅结构的长度方向，所述浮栅结构与所述静电释放总线之间的一对尖端放电结构设置于所述薄膜晶体管的有源层一侧，所述浮栅结构与所述信号走线之间的一对尖端放电结构设置于所述薄膜晶体管的有源层的另一侧。优选地，所述基板为设有数据线和栅线的薄膜晶体管基板，所述数据线和
/或栅线形成所述信号走线。优选地，所述基板为设有触控走线的触控基板，所述触控走线形成所述信号走线。优选地，所述基板为设有公共电极线的彩膜基板，所述公共电极线形成所述信号走线。优选地，所述基板为设有电源信号线的OLED背板，所述电源信号线形成所述信号走线。优选地，所述浮栅结构与所述信号走线同层设置，或者，所述浮栅结构与所述静电释放总线同层设置。另外，本技术还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案提供的任意一种基板。附图说明图1为现有技术中静电释放装置的工作原理示意图；图2为本技术实施例提供的一种基板的静电释放工作原理示意图；图3为本技术实施例提供的一种基板的静电释放电路的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种基板的静电释放电路的另一种结构示意图；图5为本技术实施例提供的一种基板的静电释放电路的第一种布置形式；图6为本技术实施例提供的一种基板的静电释放电路的第二种布置形式；图7为本技术实施例提供的一种基板的静电释放电路的第三种布置形式；图8为本技术实施例提供的一种基板的静电释放电路的第四种布置形式。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供了一种基板及显示装置，显示装置包括基板，该基板的薄膜晶体管包括与有源层相对的浮栅结构，在浮栅结构与信号走线之间设有至少一对尖端放电结构，和/或浮栅结构与静电释放总线之间设有至少一对尖端放电结构，上述基板中用于释放静电的结构占用的空间较小，有利于基板中结构以及走线的布局。上述基板为设置有呈阵列排布的元器件的基板，其中，元器件可以为开关元件、光学元件、感应元件等元器件；基板可以为薄膜晶体管基板、彩膜基板、触控基板、OLED背板等。上述信号走线为用于传输电学信号的走线，例如：扫描信号走线、数据信号走线、公共电极走线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板，包括信号走线和静电释放总线，所述信号走线与所述静电释放总线之间设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极和有源层；所述源电极与所述信号走线电连接，所述漏电极与所述静电释放总线电连接；其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层相对的浮栅结构，且所述浮栅结构与所述信号走线之间设有至少一对尖端放电结构，和/或所述浮栅结构与所述静电释放总线之间设有至少一对尖端放电结构。

【技术特征摘要】
1.一种基板，包括信号走线和静电释放总线，所述信号走线与所述静电释放总线之间设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极和有源层；所述源电极与所述信号走线电连接，所述漏电极与所述静电释放总线电连接；其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层相对的浮栅结构，且所述浮栅结构与所述信号走线之间设有至少一对尖端放电结构，和/或所述浮栅结构与所述静电释放总线之间设有至少一对尖端放电结构。2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体材料。3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述静电释放总线上设有与至少一条所述信号走线一一对应的延伸部；每一对相互对应的信号走线和延伸部中：所述延伸部的至少一部分的延伸方向与所述信号走线的延伸方向平行，且所述延伸部与所述信号走线之间设有一个所述薄膜晶体管；所述薄膜晶体管中，漏电极与所述延伸部电连接；所述浮栅结构的长度方向与所述信号走线延伸方向平行，且所述浮栅结构与所述静电释放总线之间的尖端放电结构位于所述浮栅结构与所述延伸部之间。4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述静电释放总线上设有与至少一条所述信号走线一一对应的延伸部；每一对相互对应的信号走线和延伸部中：所述延伸部的至少一部分的延伸方向与所述信号走线的延伸方向平行，且所述延伸部与所述信号走线之间设有一个所述薄膜晶体管；所述薄膜晶体管中，漏电极与所述延伸部电连接；所述浮栅结构的长度方向与所述信号走线延伸方向垂直，且所述浮栅结构与所述静电释放总线之间的尖端放电结构位于所述浮栅结构与所述延伸部之间。5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述信号走线的延伸方向
\t与所述静电释放总线的延伸方向相交，所述信号走线与所述静电释放总线之间的薄膜晶体管中，浮栅结构的长度方向与所述信号走线的延伸方向平行，或者，浮栅结构的长度方向与所述静电释...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐攀，李永谦，李全虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11