一种全背电极太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全背电极太阳能电池，包括依次叠加在n型硅前表面的前表面n+扩散层、前表面钝化层和前表面增反层；交错间隔叠加在n型硅背表面的背表面n+扩散层区域和背表面p+扩散层区域，所述背表面n+扩散层区域和背表面p+扩散层区域上覆盖有背表面钝化层；所述背表面n+扩散层区域上连接有电池负极；所述背表面p+扩散层区域上连接有电池正极；所述电池正极和电池负极由同种导电浆料烧结而成。采用同种导电浆料烧结而成的正电极和负电极与n型硅背表面p+扩散层和n+扩散层形成电接触，形成的接触电阻率较小，且大大简化了IBC电池的生产工艺，降低了IBC电池的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种全背电极太阳能电池的生产工艺。
技术介绍
当下，第三次工业革命的核心是新能源革命，提高太阳能电池效率技术作为提高太阳能利用率的关键，代表了先进的技术发展方向，对我国光伏产业的结构调整和可持续发展具有重要影响，属于当前应该发展的重大技术之一。目前的晶体硅太阳能电池由n型或p型硅制造而成。就p型晶体硅太阳能电池来讲，由于烧穿正面银浆和背场铝浆的应用，导致硅片电池工艺简单，成本较低，所以p型晶体硅太阳能电池是当前的主流产品，目前主流的p型硅太阳能电池效率已经可以稳定在19％以上，但要想在不改变电池结构和金属化工艺的情况下进一步提高效率已非常困难。n型硅片通常载流子寿命较长，电池效率可以做得更高，同时光致衰减小，电池的总发电量也高，是今后高效晶体硅太阳能电池的主要方向，其中以下三种n型型硅太阳能电池在未来几年内可能会成为主流的太阳能电池，它们是，(1)指叉型背接触(IBC)太阳能电池：SunPower公司，可生产25％的最高转化效率的IBC太阳能电池。Solexel的柔性太阳能电池，也属于IBC电池，目前利用四川银河星源科技有限公司开发的导电浆料做电接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全背电极太阳能电池，其特征在于，包括依次叠加在n型硅前表面的前表面n+扩散层、前表面钝化层和前表面增反层；交错间隔叠加在n型硅背表面的背表面n+扩散层区域和背表面p+扩散层区域，所述背表面n+扩散层区域和背表面p+扩散层区域上覆盖有背表面钝化层；所述背表面n+扩散层区域上连接有电池负极；所述背表面p+扩散层区域上连接有电池正极；所述电池正极和电池负极由同种导电浆料烧结而成。

【技术特征摘要】
1.一种全背电极太阳能电池，其特征在于，包括依次叠加在n型硅前表面的前表面n+扩散层、前表面钝化层和前表面增反层；交错间隔叠加在n型硅背表面的背表面n+扩散层区域和背表面p+扩散层区域，所述背表面n+扩散层区域和背表面p+扩散层区域上覆盖有背表面钝化层；所述背表面n+扩散层区域上连接有电池负极；所述背表面p+扩散层区域上连接有电池正极；所述电池正极和电池负极由同种导电浆料烧结而成。2.如权利要求1所述的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述n型硅为n型单晶硅，其电阻率在1-12Ω·cm，厚度为100-150微米；所述n型硅前表面设有绒面。3.如权利要求1所述的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述前表面n+扩散层的结深为0.1～0.5μm。4.如权利要求1所述的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述前表面钝化层为绒面钝化层；所述前表面钝化层为先用热氧化法沉积一层SiO2膜，然后采用等离子体增强化学气相沉积技术在SiO2膜上沉积一层SiNx膜；5.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李运钧，杨蔚，朱航，曾国平，杨墨熹，李昕，
申请(专利权)人：四川银河星源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51