显示基板、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板、显示面板以及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的显示基板中黑矩阵的宽度较大，导致像素区的开口率较小的问题。本发明专利技术的显示基板包括像素结构、数据线、栅线，所述数据线与所述栅线交叉绝缘设置，所述像素结构呈矩阵排列设置于由所述栅线和所述数据线围成的像素区内，位于同列的所述像素结构与同一所述数据线连接，与每相邻两列所述像素结构分别连接的两条所述数据线位于该相邻两列所述像素结构之间的间隙内。本发明专利技术的显示基板，减少了数据线和公共电极线的数量，显著减少了需要黑矩阵遮挡区域的面积，提高了像素区的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体涉及一种显示基板、显示面板以及显示装置。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCDDisplay)的不断发展步，液晶显示器件生产成本不断降低、制造工艺的日益完善，成为平板显示领域的主流产品。图1为现有的显示基板未设置黑矩阵的结构示意图，如图1所示，现有的显示基板包括数据线1、栅线2，数据线1与栅线2交叉绝缘设置，像素结构呈矩阵排列设置于由栅线2和数据线1围成的像素区内，每一像素结构包括像素电极3、公共电极和薄膜晶体管4，位于同列的像素结构通过所包括的薄膜晶体管4与同一数据线1连接，每相邻两列像素结构之间的间隙内设置一条数据线1；位于同行的像素结构通过所包括的薄膜晶体管4与同一栅线2连接，每相邻两行像素结构之间的间隙内设置一条栅线2；此外，每相邻两列像素结构之间的间隙内还设置一条公共电极线5，用于连接同列的像素结构中的公共电极。图2为图1的显示基板设置黑矩阵后的结构示意图，如图2所示，对应数据线1、栅线2、公共电极线5以及薄膜晶体管4的区域，设置有黑矩阵6，用于遮挡不透明的数据线1、栅线2、公共电极线5以及薄膜晶体管4。图3为图2的显示基板的局部放大示意图，如图3所示，数据线1或公共电极线5距离黑矩阵6边界的距离为A；数据线1的宽度为D；公共电极线5的宽度为C；数据线1与公共电极线5之间的最小工艺距离为S。因此，遮挡相邻两条数据线1所需黑矩阵6的宽度为X＝(2A+D+S+C)*2。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：首先，现有的显示基板中设置数据线1、栅线2以及公共电极线5的区域所占比例太大，遮挡相邻两条数据线1所需黑矩阵6的宽度X达到了(2A+D+S+C)*2，导致像素区的开口率太小，显示效果较差。因此，设计一种需要黑矩阵遮挡的区域较小的显示基板，以提高显示基板中像素区的开口率成为目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有的上述技术问题，提供一种显示基板、显示面板以及显示装置。该显示基板中设置数据线、栅线以及公共电极线的区域所占比例较小，黑矩阵的宽度较小，像素区的开口率较大。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是提供一种显示基板，包括像素结构、数据线、栅线，所述数据线与所述栅线交叉绝缘设置，所述像素结构呈矩阵排列，位于同列的所述像素结构与同一所述数据线连接，与每相邻两列所述像素结构分别连接的两条所述数据线位于该相邻两列所述像素结构之间的间隙内。优选的是，所述像素结构包括像素电极，所述像素电极的长边平行于所述栅线，所述像素电极的短边平行于所述数据线。优选的是，所述像素电极的长边的长度与所述像素电极的短边的长度之比的范围为1～4。优选的是，所述像素电极的长边的长度与所述像素电极的短边的长度之比为3。优选的是，所述像素结构包括公共电极，所述显示基板还包括公共电极线，所述公共电极线设置于未设置所述数据线的相邻两列所述像素结构之间的间隙内，所述公共电极线与位于其两侧的两列所述像素结构中的所述公共电极分别连接。优选的是，所述公共电极线采用透明材料制成，所述透明材料包括氧化铟锡。优选的是，所述数据线采用金属材料制成。优选的是，所述显示基板还包括黑矩阵，所述黑矩阵设置于设置有所述数据线的每相邻两列所述像素结构之间的间隙内，且所述数据线的正投影面积完全落入所述黑矩阵的面积内。本专利技术提供的另一技术方案：一种显示面板，包括上述显示基板。本专利技术提供的另一技术方案：一种显示装置，包括上述显示面板。本专利技术的显示基板、显示面板以及显示装置：首先，通过将与每相邻两列所述像素结构分别连接的两条所述数据线位于该相邻两列所述像素结构之间的间隙内，有效减小了设置数据线所占的区域面积，可以减小黑矩阵对应遮挡数据线部位的宽度，增大了像素区的开口率。其次，通过采用透明材料制成公共电极线，并将公共电极线设置于未设置所述数据线的相邻两列所述像素结构之间的间隙内，可以进一步省去黑矩阵对应遮挡公共电极线的部位，进一步增大了像素区的开口率，整体上提高了显示基板的显示效果。附图说明图1为现有的显示基板未设置黑矩阵的结构示意图；图2为图1的显示基板设置黑矩阵后的结构示意图；图3为图2的显示基板的局部放大示意图；图4为实施例1的显示基板未设置黑矩阵的结构示意图；图5为图4的显示基板设置黑矩阵后的结构示意图；图6为图5的显示基板的局部放大示意图。其中，附图标记为：1、数据线；2、栅线；3、像素电极；4、薄膜晶体管；5、公共电极线；6、黑矩阵；A、数据线或公共电极线距离黑矩阵边界的距离；D、数据线的宽度；C、公共电极线的宽度；S、数据线与公共电极线之间的最小工艺距离。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种显示基板，该显示基板有效减小了设置数据线和公共电极线所占的区域面积，减小了需要黑矩阵遮挡区域的面积，增大了像素区的开口率。本实施例的显示基板，包括像素结构、数据线、栅线，数据线与栅线交叉绝缘设置，像素结构呈矩阵排列，位于同列的像素结构与同一数据线连接，其中，与每相邻两列像素结构分别连接的两条数据线位于该相邻两列像素结构之间的间隙内。图4为本实施例的显示基板未设置黑矩阵的结构示意图，如图4所示，数据线1与栅线2交叉绝缘设置，其中，数据线1沿列方向延伸，栅线2沿行方向延伸。每一像素结构设置于一像素区内，每一像素结构包括像素电极3、公共电极和薄膜晶体管4，位于同行的像素结构与同一栅线2连接，每相邻两行像素结构之间的间隙内设置一条栅线2；位于同列的像素结构与同一数据线1连接，其中，与每相邻两列像素结构分别连接的两条数据线1位于该相邻两列像素结构之间的间隙内，同时，与设置有数据线1的间隙紧邻的左右两个间隙内则未设置有数据线1，这样，把数据线1集中设置，可以减小设置数据线1所占的区域面积。数据线1和栅线2均采用金属材料制成，需要采用黑矩阵来遮挡数据线1和栅线2，以防止漏光，提高显示效果。图5为图4的显示基板设置黑矩阵后的结构示意图，如图5所示，黑矩阵6设置于设置有数据线1的每相邻两列像素结构之间的间隙内以及设置于设置有栅线2的每相邻两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括像素结构、数据线、栅线，所述数据线与所述栅线交叉绝缘设置，所述像素结构呈矩阵排列，位于同列的所述像素结构与同一所述数据线连接，其特征在于，与每相邻两列所述像素结构分别连接的两条所述数据线位于该相邻两列所述像素结构之间的间隙内。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括像素结构、数据线、栅线，所述数据
线与所述栅线交叉绝缘设置，所述像素结构呈矩阵排列，位于同
列的所述像素结构与同一所述数据线连接，其特征在于，与每相
邻两列所述像素结构分别连接的两条所述数据线位于该相邻两列
所述像素结构之间的间隙内。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素
结构包括像素电极，所述像素电极的长边平行于所述栅线，所述
像素电极的短边平行于所述数据线。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素
电极的长边的长度与所述像素电极的短边的长度之比的范围为
1～4。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述像素
电极的长边的长度与所述像素电极的短边的长度之比为3。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素
结构包括公共电极，所述显示基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王强涛，崔贤植，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11