The invention relates to a method for surface treating a semiconductor wafer, the main method of wet chemical surface treatment, wherein the semiconductor wafer with acidic liquid processing materials up to 10 microns by removing each surface of the semiconductor wafer, and then use the alkaline liquid, remove at least enough material, in order to completely remove the crystal region the previous mechanical damage.
【技术实现步骤摘要】
半导体晶片的表面处理方法
本专利技术涉及一种借助于一系列处理步骤实施半导体晶片湿化学表面处理的方法，其中多种液体作用于半导体晶片表面。
技术介绍
因对电子元件的制造中的日益小型化要求，对半导体材料、尤其通常以晶片形式使用的硅的表面品质的要求也更高，这种品质要求不仅是表面的几何形状品质，而且包括其纯度、化学条件及不含颗粒及斑点。为使这些参数可用重复的方式加以影响及控制，发展出湿化学表面处理方法，特别于研磨、精研或抛光等机械表面处理之后使用。湿化学表面处理方法是与除去表面材料有关，也称蚀刻方法。在半导体晶片蚀刻实际应用中有两种蚀刻方法，一种是与使用碱性或酸性液体有关，为制得无任何斑点的晶片及达成足够高的材料除去率，该方法必须在高温下实施，较低温度会导致形成斑点，这些斑点可通过另一抛光步骤再度予以除去增加了半导体晶片的生产成本。利用碱性液体，甚至用超纯化学品，也不能制得实质上无金属污染的半导体晶片。酸性蚀刻的缺点是均匀除去材料的程度极为有限而且成本昂贵，尤其接近边缘区内，如果自晶片每个表面除去的材料超过10微米，则晶片几何形状不可能保持。也曾尝试相互结合碱性蚀刻及酸性蚀...
【技术保护点】
一种用于半导体晶片的表面处理方法，主要为湿化学表面处理的方法，其中所述半导体晶片—用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后—用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶片的表面处理方法，主要为湿化学表面处理的方法，其中所述半导体晶片—用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后—用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。2.根据权利要求1的方法，其中在用碱性液体处理之前，所述半导体晶片用适于除去附着在半导体晶片表面的颗粒的第一清洗液体处理至少一次。3.根据权利要求1或2的方法，其中就在用碱性液体处理之前，所述半导体晶片用适于由半导体晶片表面除去金属杂质的第二清洗液体处理。4.根据权利要求3的方法，其中在步骤1)至5)内依序使用下列液体处理半导体晶片表面1)使用...
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