酸槽制造技术

本实用新型专利技术提供了一种酸槽，其包括槽体和若干个隔板，所述隔板设置于所述槽体内并将所述槽体分隔为多个相互独立的容置空间。本实用新型专利技术解决了采用传统的酸槽进行湿法刻蚀时存在交叉污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
酸槽
本技术涉及半导体设备
，具体涉及一种酸槽。
技术介绍
在半导体制造工艺中，最主要的刻蚀方法有两种：湿法刻蚀和干法刻蚀。在湿法刻蚀中，通过刻蚀液其与晶圆表面对应膜层发生反应，从而使其溶解于刻蚀剂中。目前湿法刻蚀工艺多采用槽式湿法刻蚀工艺，即，多片晶圆放置于同一酸槽内，再通过刻蚀液的流动，清除其表面玷污或者刻蚀指定膜层。但是，申请人发现，由于传统的酸槽内部空间是连通的，刻蚀液会在整个酸槽中流动，附着于某一片或者几片晶圆表面的污染物颗粒会在整个酸槽内随之流动，进而玷污其它干净的晶圆，即，存在交叉污染的风险。
技术实现思路
为解决采用传统的酸槽进行湿法刻蚀时存在交叉污染的风险的问题，本技术提供了一种酸槽。本技术提供了一种酸槽，其包括槽体和若干个隔板，所述隔板设置于所述槽体内并将所述槽体分隔为多个相互独立的容置空间。可选的，所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有若干个隔板凹槽，所述隔板插入至所述隔板凹槽中以固定在所述槽体内。可选的，所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有多个所述隔板凹槽，多个所述隔板凹槽均匀间隔分布。可选的，所述隔板凹槽沿所述槽体的侧壁延伸至所述槽体的底部。可选的，所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有多个所述晶圆凹槽，晶圆通过所述晶圆凹槽固定在所述槽体内。可选的，所述晶圆凹槽沿所述槽体的侧壁延伸至所述槽体的底部。可选的，所述两隔板凹槽之间的槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有一个所述晶圆凹槽。可选的，所述晶圆凹槽与相邻的两个隔板凹槽的距离相等。可选的，所述隔板凹槽和所述晶圆凹槽的尺寸相同。可选的，所述隔板凹槽的宽度与所述晶圆凹槽的宽度不同。可选的，所述隔板与槽体为一体成型结构。可选的，所述隔板的一部分延伸至所述槽体外部。采用本技术提供的酸槽，由于所述隔板的存在，所述槽体会被分隔为多个相互独立的容置空间，每片晶圆分别插入一独立空间内，所以晶圆在进行湿法刻蚀工艺时，两隔板间的刻蚀液不会互相流动，也就不会造成交叉污染。附图说明图1是本技术实施例一提供的酸槽的槽体的示意图；图2是本技术实施例一提供的酸槽的侧面示意图；图3是本技术实施例一提供的酸槽的部分俯视示意图；图4是本技术实施例三提供的酸槽的部分俯视示意图；图5是本技术实施例三提供的酸槽的隔板的示意图；其中，附图1-附图3的标记说明如下：101、301-槽体；102、302-隔板；103-凹槽；104、304-晶圆凹槽；105-隔板凹槽；201、401-晶圆；a1、a3-隔板位于槽体内部的部分；b1、b2-隔板延伸部分；H1、H4-隔板厚度；H2、H5-晶圆凹槽宽度；H3-隔板凹槽宽度。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的酸槽作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。<实施例一>参阅图1，其是本技术实施例一提供的酸槽的槽体的示意图。本实施例提供了一种酸槽，其包括槽体101和若干个隔板102，所述隔板102设置于所述槽体101内并将所述槽体101分隔为多个相互独立的容置空间。继续参阅图1，图中仅表示出一个隔板102，而且是抽出所述槽体101的状态。但可以理解的是，实际上所述隔板102为多个，且在进行湿法刻蚀时所述隔板102为插入状态。所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有若干个凹槽103，所述凹槽103包括隔板凹槽104和晶圆凹槽105(如图3所示)。所述隔板凹槽104沿槽体101的侧壁延伸至槽体101的底部，同样，所述晶圆凹槽105也沿槽体101的侧壁延伸至槽体101的底部。当然在实际应用中，也可只在所述槽体101内部相对设置的两个侧壁上设置凹槽103。所述隔板凹槽104与所述晶圆凹槽105的设置方式为，两相邻隔板凹槽104之间设置有一个晶圆凹槽105。所述隔板102依次插入所述隔板凹槽104。这样一来就将所述槽体101分隔为多个相互独立的容置空间。当然在实际应用中，也可只设置所述隔板凹槽104。参阅图2，其是本技术实施例一提供的酸槽的侧面示意图。为更加直观，图2种所述隔板102为抽出所述槽体101的状态。本实施例所述隔板102包括插入所述槽体101时，位于槽体101内部的部分a1和一延伸部分b1，图中用虚线做一区分。所述隔板位于槽体内部的部分a1，其形状和面积与所述槽体101对应截面的形状和面积相同，这样才能将所述槽体101完全分隔开来。所述隔板102的延伸部分b1为一长条形，其两端沿水平方向延伸出所述槽体101，其增加了隔板的隔离效果，可防止刻蚀液在分隔出的相互独立的容置空间之间互相溅入，并且其两端延伸出所述槽体101还可方便所述隔板102的插入和抽出。参阅图3，其是本技术实施例一提供的酸槽的部分俯视示意图。如图3所示，所述隔板凹槽104插入所述隔板102，所述晶圆凹槽105在湿法刻蚀时插入晶圆201。所述隔板102的厚度H1优选3mm～10mm，所述隔板凹槽104的宽度H3优选为4mm～13mm，所述晶圆凹槽105的宽度H2优选为5mm～15mm。所述晶圆凹槽105与相邻两隔板凹槽104的距离相等。当然在实际应用中，上述尺寸可根据情况进行调整，本实施例仅给出一优选范围。采用本实施例提供的酸槽，由于所述隔板102的存在，晶圆201插入所述槽体101后，会被所述隔板102隔离开来，每片晶圆201在进行湿法刻蚀工艺时，隔板102两侧的刻蚀液不会互相流动，也就不会造成交叉污染。<实施例二>本实施例提供的酸槽与实施例一的区别在于，所述隔板凹槽与晶圆凹槽为同一尺寸，即，此凹槽既能插入隔板又能插入所述晶圆，其宽度的优选范围为5mm～15mm，当然在实际应用中，所述凹槽的尺寸也可根据实际情况进行适当调整，本实施例仅给出一优选范围。<实施例三>参阅图4，其是本实施例提供的酸槽的部分俯视示意图。如图4所示，本实施例提供的酸槽与实施例一和实施例二的区别在于，所述隔板302与所述槽体301为一体成型结构，且本实施例的隔板形状也与实施例一和实施例二不同。所述隔板302的厚度H4优选3mm～10mm，所述晶圆凹槽305的宽度H5优选为5mm～15mm。当然在实际应用中，上述尺寸可根据情况进行调整，本实施例仅给出一优选范围参阅图5，其是本实施例提供的酸槽的隔板302的示意图。由于为所述槽体301与所述隔板302为一体成型结构，无需隔板302的插入和抽出操作，所以所述隔板延伸部分b3的宽度与所述隔板位于槽体301内部的部分a3的宽度一致。综上所述，采用本技术提供的酸槽，由于所述隔板的存在，晶圆插入所述槽体后，会被所述隔板隔离开来，每片晶圆在进行湿法刻蚀工艺时，两隔板间的刻蚀液不会互相流动，也就不会造成交叉污染。可以理解的是，虽然本技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种酸槽，其特征在于，包括槽体和若干个隔板，所述隔板设置于所述槽体内并将所述槽体分隔为多个相互独立的容置空间。

【技术特征摘要】
1.一种酸槽，其特征在于，包括槽体和若干个隔板，所述隔板设置于所述槽体内并将所述槽体分隔为多个相互独立的容置空间。2.如权利要求1所述的酸槽，其特征在于，所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有若干个隔板凹槽，所述隔板插入至所述隔板凹槽中以固定在所述槽体内。3.如权利要求2所述的酸槽，其特征在于，所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有多个所述隔板凹槽，多个所述隔板凹槽均匀间隔分布。4.如权利要求3所述的酸槽，其特征在于，所述隔板凹槽沿所述槽体的侧壁延伸至所述槽体的底部。5.如权利要求2所述的酸槽，其特征在于，所述槽体内部相对设置的两个侧壁上各设置有多个晶圆凹槽，晶圆通过所述晶圆凹槽固定在所述槽体内。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨谊，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31