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本发明涉及一种用于半导体晶片的表面处理方法，主要是湿化学表面处理的方法，其中所述半导体晶片用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。...
该专利属于刘程秀所有，仅供学习研究参考，未经过刘程秀授权不得商用。

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