一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法，半导体结构包括上下键合的第一功能层和第二功能层，第二功能层背向第一功能层的表面具有凸起的锡球，其特征在于，包括：步骤S1，采用酸液去除第二功能层的表面的锡球；步骤S2，对去除锡球后的第二功能层的表面进行清洗和干燥；步骤S3，于清洗和干燥后的第二功能层的表面上粘附一保护层；步骤S4，对半导体结构的侧面进行研磨以将第一功能层和第二功能层的键合面暴露出，形成平整的侧剖面；能够避免在研磨半导体结构时，因锡球的存在造成的应力集中致使键合面破损或断裂的情况，从而避免破损或断裂影响对待观测的键合面的观测。

Method for improving smoothness of side section of semiconductor structure

The present invention relates to a semiconductor field, particularly relates to a method for improving the flatness of the side section semiconductor structure, semiconductor structure includes upper and lower bonding of the first layer and the second layer function function, second function layer back to the surface of the first layer having raised solder, characterized in that the utility model comprises the following steps: S1, remove the surface of the ball second functional layer by acid solution; step S2, on the surface of solder ball after removal of second functional layers for washing and drying; step S3, surface cleaning and drying after second functional layers stuck on a protective layer; step S4, on the side of the semiconductor structure for grinding to the first layer and the second function the functional layer bonding surface exposed, forming a side profile smooth; grinding can be avoided in the semiconductor structure, caused by the presence of solder joints caused by the stress concentration of the bonding surface damage or fracture To avoid breakage or fracture; observe the observation of the bonding surface that treats the observations.

【技术实现步骤摘要】
一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种提高半导体结构截面平整度的方法。
技术介绍
在先进半导体制程中，为了实现芯片功能互补，提高芯片集成度，会把两片具有不同功能的晶圆用特定的方法键合(bonding)在一起，然后对晶圆进行减薄和晶圆级芯片封装(waferlevelchipscalepackage，简称WLCSP)。其中，键合面的质量是影响此类芯片可靠性的关键因素。在WLCSP封装技术中，一般在样品表面用锡球连接有源面与印制电路板。对于此类封装样品，受传统的样品定点制备方法的局限性，为了获得完好的键合面形貌，需要采用研磨的方法。但是对于表面带有锡球的样品，若不加处理直接研磨，凸起的锡球会让应力集中在锡球附近，很容易造成样品键合面破损或断裂，在后续的形貌检测过程中无法获得键合面的真实形貌从而造成误判。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法，所述半导体结构包括上下键合的第一功能层和第二功能层，所述第二功能层背向所述第一功能层的表面具有凸起的锡球，其中，包括：步骤S1，采用酸液去除所述第二功能层的表面的所述锡球；步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法，所述半导体结构包括上下键合的第一功能层和第二功能层，所述第二功能层背向所述第一功能层的表面具有凸起的锡球，其特征在于，包括：步骤S1，采用酸液去除所述第二功能层的表面的所述锡球；步骤S2，对去除所述锡球后的所述第二功能层的表面进行清洗和干燥；步骤S3，于清洗和干燥后的所述第二功能层的表面上粘附一保护层；步骤S4，对所述半导体结构的侧面进行研磨以将所述第一功能层和所述第二功能层的键合面暴露出，形成平整的侧剖面。

【技术特征摘要】
1.一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法，所述半导体结构包括上下键合的第一功能层和第二功能层，所述第二功能层背向所述第一功能层的表面具有凸起的锡球，其特征在于，包括：步骤S1，采用酸液去除所述第二功能层的表面的所述锡球；步骤S2，对去除所述锡球后的所述第二功能层的表面进行清洗和干燥；步骤S3，于清洗和干燥后的所述第二功能层的表面上粘附一保护层；步骤S4，对所述半导体结构的侧面进行研磨以将所述第一功能层和所述第二功能层的键合面暴露出，形成平整的侧剖面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：步骤S5，对所述键合面进行扫描，以获得所述键合面的形貌。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸液为硝酸和盐酸的混合液。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硝酸的浓度为65％～75％，所述盐酸为浓盐酸，混合比为4：1～6：1。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李莉，刘君芳，师江曼，刘思，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42