抛光布整理方法以及抛光方法技术

本发明专利技术提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抛光布整理方法以及抛光方法
本专利技术关于一种用于硅晶圆抛光的抛光布的整理方法，以及使用抛光布抛光硅晶圆的方法。
技术介绍
一般的晶圆抛光步骤，在抛光布贴附于抛光机后当下的抛光中，常有晶圆损伤的发生或微粒等级(particlelevel)显著恶化的情形。并且，抛光机越大越容易引起此损伤的发生或微粒等级的恶化。此种损伤的发生或微粒等级的恶化常被认为是贴附完成当下的抛光布的整理不充分所导致的。整理抛光布之时，一般进行的是使用专利文献1所记载的表面铺满钻石的修整器等来进行修整，以修整抛光布的表面粗度及厚度。然而，即便通过此种修整来进行抛光布的整理，根据在开始抛光的当下(以下称之为“抛光布寿命初期”)还是能发现微粒等级的恶化可以得知，仅凭修整来进行抛光布的整理仍旧是有所欠缺的。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开平11-000868号公报。
技术实现思路
本专利技术为解决前述问题，目的在于提供一种抛光布的整理方法，能够改善抛光布寿命初期的微粒等级。本专利技术另一目的在于提供一种抛光方法，能够改善抛光布寿命初期的微粒等级。为达成上述目的，本专利技术提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；接着，通过该假抛光进行去除蓄积于该抛光布中的抛光残渣的处理；接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.04 JP 2015-0206061.一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；接着，通过该假抛光进行去除蓄积于该抛光布中的抛光残渣的处理；接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。2.如权利要求1所述的抛光布整理方法，其中该判定执行：预先地使用经单独进行另外地修整后的聚胺酯树脂制的基准用抛光布而进行硅晶圆的抛光，且通过与该假抛光后的去除处理相同方式进行抛光残渣的去除处理，并进行该去除处理后的抛光残渣量的测定；先求出基准用抛光布的使用时间除以预先设定好的基准用抛光布的寿命的值在0.05的时间点时基准用抛光布中的抛光残渣量予以作为基准值，以在该假抛光及去除处理后所测定出的抛光残渣量为在该基准值以上时，则判定经进行该假抛光的抛光布为经整理。3.如权利要求1或2所述的抛光布整理方法，其中自通过荧光X射线分析法所得到的荧光X射线频谱所检测出包含Si-Kα射线的讯号，而测定该抛光残渣量。4.如权利要求1至3中任一项所述的抛光布整理方法，其中通过修整以及高压喷射水洗净来进行该抛光残渣的去除处理。5.如权利要求1至4中任一项所述的抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木拓也，田中佑宜，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP