基板清洗装置及基板清洗方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板清洗装置及基板清洗方法本申请主张2014年10月31日在日本申请的专利申请编号2014-223715的利益，该专利的内容通过引用而编入本申请。
本专利技术涉及一种清洗半导体晶片等基板的基板清洗装置及基板清洗方法，特别涉及一种清洗头在基板的半径方向移动的同时清洗基板的表面的基板清洗装置及基板清洗方法。
技术介绍
近年来，随着半导体装置的细微化，进行具有细微结构的基板(形成了物性不同的各种材料膜的基板)的加工。例如，在将金属埋入形成于基板的配线沟的金属镶嵌配线形成工序中，形成金属镶嵌配线后，由基板研磨装置(CMP装置)研磨除去多余的金属，在基板表面形成物性不同的各种材料膜(金属膜、屏蔽膜、绝缘膜等)。在这种基板表面，存在有CMP研磨所使用的浆体残渣、金属研磨屑(Cu研磨屑等)。因此，在基板表面复杂而清洗困难的情况等无法充分进行基板表面的清洗的情况下，因残渣物等的影响导致泄漏、紧贴性不良，有成为可靠性降低的原因的担忧。因此，在进行半导体基板的研磨的CMP装置中，在研磨后进行清洗。清洗工序为例如进行笔擦洗清洗或双流体喷射清洗(例如参照专利文献1、2)。现有技术文献专利...
【技术保护点】
一种基板清洗装置，对基板进行清洗，所述基板清洗装置的特征在于，具备：基板旋转支承部，该基板旋转支承部支承所述基板并使所述基板旋转；擦洗清洗部件，该擦洗清洗部件具有清洗面，该清洗面用于与通过所述基板旋转支承部而旋转的所述基板的被清洗面接触，来清洗所述被清洗面；移动机构，在使所述清洗面与所述被清洗面接触的状态下，该移动机构使所述擦洗清洗部件在所述基板的半径方向上移动；以及控制部，该控制部控制所述清洗面对所述被清洗面的接触压，与所述擦洗清洗部件位于所述基板的中心附近时相比，在所述擦洗清洗部件位于所述基板的边缘附近时，所述控制部使所述接触压更小。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.31 JP 2014-2237151.一种基板清洗装置，对基板进行清洗，所述基板清洗装置的特征在于，具备：基板旋转支承部，该基板旋转支承部支承所述基板并使所述基板旋转；擦洗清洗部件，该擦洗清洗部件具有清洗面，该清洗面用于与通过所述基板旋转支承部而旋转的所述基板的被清洗面接触，来清洗所述被清洗面；移动机构，在使所述清洗面与所述被清洗面接触的状态下，该移动机构使所述擦洗清洗部件在所述基板的半径方向上移动；以及控制部，该控制部控制所述清洗面对所述被清洗面的接触压，与所述擦洗清洗部件位于所述基板的中心附近时相比，在所述擦洗清洗部件位于所述基板的边缘附近时，所述控制部使所述接触压更小。2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述控制部进一步控制由所述移动机构进行的所述擦洗清洗部件的移动，与所述擦洗清洗部件位于所述基板的中心附近时相比，在所述擦洗清洗部件位于所述基板的边缘附近时，所述控制部使所述擦洗清洗部件的移动速度更慢。3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，还具备旋转机构，该旋转机构使所述擦洗清洗部件旋转，所述控制部进一步控制由所述旋转机构进行的所述擦洗清洗部件的旋转，与所述擦洗清洗部件位于所述基板的中心附近时相比，在所述擦洗清洗部件位于所述基板的边缘附近时，所述控制部使所述擦洗清洗部件的旋转速度更快。4.根据权利要求1-3中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述控制部控制由所述基板旋转支承部进行的所述基板的旋转，与所述擦洗清洗部件位于所述基板的中心附近时相比，在所述擦洗清洗部件位于所述基板的边缘附近时，所述控制部使所述基板的旋转速度更快。5.根据权利要求1-4中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，在所述清洗面与所述基板的中心接触期间，所述控制部使所述接触压变化。6.根据权利要求1-5中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述移动机构使所述擦洗清洗部件在含有所述清洗面到达所述基板的边缘位置的规定的移动轨迹上移动，与所述清洗面未到达所述基板的边缘时相比，在所述清洗面到达所述基板的边缘时，所述控制部使所述接触压更小。7.一种基板清洗装...
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