用于清洗半导体元件的包含碱土金属的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法技术

根据本发明专利技术，可以提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low‑k膜)、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洗半导体元件的包含碱土金属的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法
本专利技术涉及：在半导体元件的制造工序中至少抑制低介电常数层间绝缘膜、选自包含钛的材料和包含钨的材料中的1种以上材料的损伤、去除被处理物表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液；和，使用其的清洗方法。
技术介绍
经过高集成化的半导体元件的制造通常如下：在硅晶圆等元件上形成作为导电用布线原材料的金属膜等导电薄膜、用于进行导电薄膜间的绝缘的层间绝缘膜，然后在其表面上均匀地涂布光致抗蚀剂而设置光敏层，对其实施选择性的曝光、显影处理，制作期望的光致抗蚀图案。接着，以该光致抗蚀图案作为掩模，对层间绝缘膜实施干蚀刻处理，从而在该薄膜上形成期望的图案。而且，一般采用的是，将光致抗蚀图案和通过干蚀刻处理而产生的残渣物(以下，称为“干蚀刻残渣”)等利用基于氧等离子体的灰化、清洗液等完全去除之类的一系列的工序。近年来，设计规则的微细化推进，信号传导延迟逐渐支配高速度演算处理的限度。因此，导电用布线原材料从铝向电阻更低的铜转移，层间绝缘膜从硅氧化膜向低介电常数膜(相对介电常数小于3的膜。以下，称为“Low-k膜”)的转移正在推进。对于0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low‑k膜)、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.13 JP 2014-2306371.一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low-k膜)、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水。2.根据权利要求1所述的清洗液，其中，所述清洗液的pH值为3～14。3.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述过氧化物为选自由过氧化氢、过氧化脲、间氯过氧苯甲酸、叔丁基氢过氧化物、过氧乙酸、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化丙酮、过氧化甲乙酮、六亚甲基三过氧化物和氢过氧化枯烯组成的组中的至少1种以上。4.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述高氯酸盐为选自由高氯酸铵、高氯酸钾、高氯酸钙、高氯酸镁、高氯酸银、高氯酸钠、高氯酸钡、高氯酸锂、高氯酸锌、高氯酸乙酰胆碱、高氯酸铅、高氯酸铷、高氯酸铯、高氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾家俊行，岛田宪司，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP