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本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高半导体结构侧剖面平整度的方法，半导体结构包括上下键合的第一功能层和第二功能层，第二功能层背向第一功能层的表面具有凸起的锡球，其特征在于，包括：步骤S1，采用酸液去除第二功能层的表面的锡球；步骤S2，对去...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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