纳米线栅结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种纳米线栅结构的制作方法，该方法先通过压印模具在热塑性基板上热压出交替的多个凹槽和多个凸起，再将金属薄膜制作在所述多个凹槽和多个凸起上，接着利用金属粘结胶材将所述凸起上的金属薄膜转移到线栅载体基板上，最后剥离热塑性基板，制得纳米线栅结构，相比于现有技术，整个过程无需光阻涂布、光阻残余层去除、以及金属刻蚀制程，避免了现有技术中刻蚀精度不佳、光阻残余层难以去除、以及金属刻蚀过程中的线栅结构塌陷的问题，能够简化纳米线栅结构的制作流程，缩短纳米线栅结构的制作时间，提升纳米线栅结构的制作效率和制程良率。

Method for manufacturing nanowire grid structure

The present invention provides a method for manufacturing a nanowire grid structure, using this method to imprint mold in thermoplastic substrates by hot extrusion alternating with a plurality of grooves and a plurality of protrusions, and the metal film produced in the plurality of grooves and bulges, then use metal adhesive material metal film the projection on the transfer to the gate line carrier substrate, finally peeling thermoplastic substrate, prepared nanowire grid structure, compared with the existing technology, the whole process without coating of photoresist, photoresist layer is removed, and the residual metal etching process, avoids in the poor precision etching and resist residual it is difficult to remove the metal layer, and etching process of wire grid structure collapse, can simplify the production process of nanowire grid structure, shorten the production time of nanowire grid structure, improve the efficiency of production of nanowire grid structure Process yield.

【技术实现步骤摘要】
纳米线栅结构的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及纳米线栅结构的制作方法。
技术介绍
纳米压印技术(Nano-imprintLithography，NIL)是上世纪九十年代中期美国普林斯顿(Princeton)大学纳米结构实验室(NanostructureLab)的周郁(StephenY.Chou)教授针对传统的光刻工艺受到曝光波长的限制，已经达到制备微小结构的极限，无法进一步获得更小的尺寸，而提出的一种类似于高分子模压的技术，通过该技术可以在半导体硅片上获得尺寸小于10nm的结构单元。自1995年提出以来，纳米压印已经经过了14年的发展，演变出了多种压印技术，广泛应用于半导体制造、微机电系统(MicroelectromechanicalSystems，MEMS)、生物芯片、生物医学等领域，被誉为十大改变人类的技术之一。纳米压印光刻有别于传统的光刻技术，纳米压印将模具上的图形直接转移到衬底上，从而达到量产化的目的。纳米压印光刻技术具有加工原理简单，分辨率高，生产效率高，成本低等优点。NIL的基本思想是通过模版，将图形转移到相应的衬底上，转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米线栅结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一热塑性基板(1)和一压印模具(2)，利用压印模具(2)热压所述热塑性基板(1)，使得所述热塑性基板(1)的表面形成交替排列的多个凹槽(11)和多个凸起(12)；步骤S2、将所述热塑性基板(1)从压印模具(2)中脱离，在所述热塑性基板(1)形成有凹槽(11)和凸起(12)表面上沉积金属薄膜(3)；步骤S3、提供一线栅载体基板(4)，利用金属粘结胶材将所述凸起(12)上的金属薄膜(3)转移到线栅载体基板(4)上；步骤S4、剥离热塑性基板(1)及位于所述凹槽(11)内的金属薄膜(3)，制得纳米线栅结构。

【技术特征摘要】
1.一种纳米线栅结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一热塑性基板(1)和一压印模具(2)，利用压印模具(2)热压所述热塑性基板(1)，使得所述热塑性基板(1)的表面形成交替排列的多个凹槽(11)和多个凸起(12)；步骤S2、将所述热塑性基板(1)从压印模具(2)中脱离，在所述热塑性基板(1)形成有凹槽(11)和凸起(12)表面上沉积金属薄膜(3)；步骤S3、提供一线栅载体基板(4)，利用金属粘结胶材将所述凸起(12)上的金属薄膜(3)转移到线栅载体基板(4)上；步骤S4、剥离热塑性基板(1)及位于所述凹槽(11)内的金属薄膜(3)，制得纳米线栅结构。2.如权利要求1所述的纳米线栅结构的制作方法，其特征在于，所述凹槽(11)的深度大于所述金属薄膜(3)的厚度。3.如权利要求1所述的纳米线栅结构的制作方法，其特征在于，所述热塑性基板(1)的材料为聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44