集成电路及其制造方法技术

本发明专利技术公开了集成电路及其制造方法。集成电路包括晶体管、第一介电层、蚀刻停止层、第一通孔和第一导电层。第一介电层设置在晶体管和蚀刻停止层之间。第一通孔设置在第一介电层和蚀刻停止层中，并且电连接至晶体管。第一导电层与第一通孔接触，其中第一通孔设置在第一导电层和晶体管之间，并且蚀刻停止层位于部分第一通孔旁边并且与第一导电层相邻。

Integrated circuit and manufacturing method thereof

The invention discloses an integrated circuit and a manufacturing method thereof. The integrated circuit includes a transistor, a first dielectric layer, an etch stop layer, a first through hole, and a first conductive layer. The first dielectric layer is disposed between the transistor and the etch stop layer. A first pass hole is provided in the first dielectric layer and the etch stop layer and is electrically connected to the transistor. The first conductive layer is in contact with the first through hole, wherein the first through hole is disposed between the first conductive layer and the transistor, and the etch stop layer is located next to the first through hole and adjacent to the first conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其制造方法
本专利技术的实施例涉及集成电路及其制造方法。
技术介绍
通常地，集成电路(ICs)包括在衬底上形成的诸如晶体管、电容器等的单独的器件。然后在单独的器件上方形成一个或多个金属层以提供单独的器件之间的连接并且提供到外部器件的连接。前段制程(FEOL)是IC制造的第一部分，其中，在晶圆中图案化单独的器件(晶体管、电容器、电阻器等)。FEOL通常覆盖了一切直到(但是不包括)金属层的沉积。后段制程(BEOL)是IC制造的第二部分，其中，单独的器件与晶圆上的引线或金属层互连。BEOL通常开始于在晶圆上沉积第一金属层。它包括接触件、绝缘层、金属层以及用于芯片到封装件的连接的结合位点。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种集成电路，包括：晶体管；第一介电层和蚀刻停止层，其中，所述第一介电层设置在所述晶体管和所述蚀刻停止层之间；第一通孔，设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层中，并且电连接至所述晶体管；以及第一导电层，与所述第一通孔接触，其中，所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述晶体管之间，并且所述蚀刻停止层位于部分所述第一通孔旁边并且与所述第一导电层相邻。本专利技术的另一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：晶体管；第一介电层和蚀刻停止层，其中，所述第一介电层设置在所述晶体管和所述蚀刻停止层之间；第一通孔，设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层中，并且电连接至所述晶体管；以及第一导电层，与所述第一通孔接触，其中，所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述晶体管之间，并且所述蚀刻停止层位于部分所述第一通孔旁边并且与所述第一导电层相邻。

【技术特征摘要】
2016.03.04 US 15/060,6121.一种集成电路，包括：晶体管；第一介电层和蚀刻停止层，其中，所述第一介电层设置在所述晶体管和所述蚀刻停止层之间；第一通孔，设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层中，并且电连接至所述晶体管；以及第一导电层，与所述第一通孔接触，其中，所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述晶体管之间，并且所述蚀刻停止层位于部分所述第一通孔旁边并且与所述第一导电层相邻。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一通孔包括金属层和扩散阻挡层，并且所述扩散阻挡层设置在所述金属层和所述第一导电层之间并且与所述第一导电层接触。3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：接触件，设置在所述第一通孔和所述晶体管之间并且与所述第一通孔和所述晶体管接触。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述接触件设置在第二介电层中，并且所述第一通孔穿过所述蚀刻停止层和所述第一介电层并且延伸入所述第二介电层。5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述接触件设置在第二介电层中，并且所述接触件穿过所述第二介电层并且延伸入所述第一介电层。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖文隆，蒋振劼，郑志成，张简旭珂，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71