半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法。本发明专利技术的目的在于提供具有更优越的吸杂能力并且能够抑制外延缺陷的产生的半导体外延晶片的制造方法。本发明专利技术的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，向半导体晶片的表面照射作为结构元素而包含碳、氢和氧的蔟离子，在该半导体晶片的表面部形成所述蔟离子的结构元素固溶后的改性层；以及第二工序，在该第一工序之后，在所述半导体晶片的所述改性层上形成外延层。

【技术实现步骤摘要】
半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法
本专利技术涉及半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法。
技术介绍
在半导体晶片上形成有外延层的半导体外延晶片被用作用于制造MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）、DRAM（DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器）、功率晶体管和背面照射型固体摄像元件等各种半导体器件的器件基板。在此，作为使半导体器件的特性劣化的主要原因，可举出金属污染。例如，在背面照射型固体摄像元件中，混入到成为该元件的基板的半导体外延晶片中的金属成为使固体摄像元件的暗电流增加的主要原因，使被称为白色损伤缺陷的缺陷产生。背面照射型固体摄像元件通过将布线层等配置在传感器部的下层来将来自外面的光直接取入到传感器中，即使在暗处等也能够拍摄更鲜明的图像或活动图像，因此，近年来，被广泛地用于数字视频摄像机（digitalvideocamera）或智能电话等便携式电话。因此，期望极力减少白色损伤缺陷。向晶片的金属的混入主要在半导体外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，向半导体晶片的表面照射作为结构元素而包含碳、氢和氧的蔟离子，在该半导体晶片的表面部形成所述蔟离子的结构元素固溶后的改性层；以及第二工序，在该第一工序之后，在所述半导体晶片的所述改性层上形成外延层。

【技术特征摘要】
2016.02.29 JP 2016-0373381.一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，向半导体晶片的表面照射作为结构元素而包含碳、氢和氧的蔟离子，在该半导体晶片的表面部形成所述蔟离子的结构元素固溶后的改性层；以及第二工序，在该第一工序之后，在所述半导体晶片的所述改性层上形成外延层。2.根据权利要求1所述的半导体外延晶片的制造方法，其中，所述蔟离子的碳原子数目为16个以下，并且，所述蔟离子的氧原子数目为16个以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体外延晶片的制造方法，其中，所述蔟离子的照射的碳的剂量为1.0×1013原子/cm2以上1.0×1017原子/cm2以下。4.根据权利要求1或2所述的半导体外延晶片的制造方法，其中，所述半导体晶片为硅晶片。5.一种半导体外延晶片，其特征在于，具有：半导体晶片；在该半导体晶片的表面部形成的、碳、氢和氧固溶在该半导体晶片中后的改性层；以及该改性层上的外延层，所述改性层中的所述碳的深度方向的碳浓度分布的碳峰值浓度为1.0×1015原子/cm3以上1.0×1020原子/cm3以下，所述改性层中的所述氢的深度方向的氢浓度分布的氢峰值浓度为1.0×1017原子/cm3以上，所述改性层中的所述氧的深度方向的氧浓度分布的氧峰值浓度为5.0×1018原子/cm3以上。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：广濑谅，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP