一种氮化镓晶圆片边缘处理方法技术

本发明专利技术提供一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，所述处理方法本为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切(full‑cut)和切边(flat)或者切槽(notch)处理。首先在待处理的氮化镓晶圆片边缘设置预切割图形，然后将所述氮化镓晶圆片置于激光工作台上，调整所述氮化镓晶圆的位置，确定所述氮化镓晶圆表面与激光束垂直，同时可以进行同轴气体吹扫；然后将所述激光束聚焦于所述预切割图形位置进行切割。本发明专利技术通过高能量激光对氮化镓晶圆片进行烧蚀，从而实现切割去除边缘部分，该方法具有耗时短，耗材少，维护成本低，效率高，适用于对各种氮化镓晶体进行边缘处理。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓晶圆片边缘处理方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种氮化镓晶圆片边缘处理方法。
技术介绍
目前，无论是消费电子产品、电动车(EV)或家用电器，工程师正面对更加严格的要求，必须提升电源转换效能、提高功率密度水准、延长电池使用时间以及加快开关速度。这一切皆意味着电子产业将会变得越来越依赖于新型的功率半导体，采用不再以硅(Si)为基础的制程技术。随着容量可能达到前所未有的性能基准，氮化镓(GaN)正成为一项新兴的制程技术，影响电力电子系统设计的未来发展。在任何电源系统设计中，某种程度的电源转换损耗是肯定的，但由于宽频间隙，GaN明显比硅表现出更低的损耗，这也意味着更好的电源转换效能。因为GaN晶圆片可比等效的硅晶圆片更小，使用此技术的元件可被置于尺寸更小的封装规格中。由于其高流动性，GaN在用于要求快速开关的电路中效能极高。而且，提高的开关速度也有助于节省空间，因为电源电路所含被动元件可以更少，配套的磁性元件中使用的线圈可以更小。此外，GaN提供的更高的电源转换效能意味着更少的散热量，缩小了需要分配给热管理的空间。由于GaN具有一些和硅有所区别的关键功能，令它特别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于，所述处理方法为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于，所述处理方法为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理。2.根据权利要求1所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理的步骤包括：S1，在待处理的氮化镓晶圆片边缘设置预切割图形，然后将所述氮化镓晶圆片置于激光工作台上，调整所述氮化镓晶圆的位置，确定所述氮化镓晶圆表面与激光束垂直，所述氮化镓晶圆片的中心点与所述激光工作平台的中心点重合；S2，将所述激光束聚焦于所述预切割图形位置进行切割，从而完成全切和切边或者切槽处理。3.根据权利要求2所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述步骤S2中，在进行切割的同时使用保护性气体对切割位置进行同轴吹扫。4.根据权利要求3所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述保护性气体为氮气或者氩气、氖气、氦气惰性气体中的一种或多种的混合气体。5.根据权利要求2所述的氮化镓晶圆片...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢宇，
申请(专利权)人：镓特半导体科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31