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本发明提供一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，所述处理方法本为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切(full‑cut)和切边(flat)或者切槽(notch)处理。首先在待处理的氮化镓晶圆片边缘设置预切割图形，然后将所述氮化镓晶圆片置于激光工作...
该专利属于镓特半导体科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技（上海）有限公司授权不得商用。

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