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本发明涉及半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法。本发明的目的在于提供具有更优越的吸杂能力并且能够抑制外延缺陷的产生的半导体外延晶片的制造方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，向半导体晶片的表面照射...
该专利属于胜高股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过胜高股份有限公司授权不得商用。

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