使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路
本描述的实施例总体上涉及微电子器件的领域，并且更具体来说，涉及使用n沟道和p沟道氮化镓晶体管形成CMOS(互补型金属氧化物半导体)电路和结构。
技术介绍
微电子产业持续力图产生越来越快和越来越小的微电子封装体以用在各种电子产品中，包括但不限于，计算机服务器产品和便携式产品，例如膝上计算机/上网本计算机、电子平板设备、智能电话、数码相机、等等。实现这些目标的一条路径是制造片上系统(SoC)器件，其中，电子系统中的所有部件都制造在单个芯片上。在这样的SoC器件中，功率管理集成电路(PMIC)和射频集成电路(RFIC)是关键的功能块，并且在确定功率效率和这些SoC设备的形状因数方面与逻辑和存储器集成电路一样重要。因此，对于SoC器件，存在缩小和/或改进PMIC和RFIC的效率、以及逻辑和存储器集成电路的持续努力。附图说明在说明书的总结部分中详细指出并明显请求保护本公开内容的主题。结合附图，根据以下描述和所附权利要求，本公开内容的前述和其它特征将变得显而易见。应当理解的是，附图仅根据本公开内容描绘了若干实施例，并因此不应当被认...
【技术保护点】
一种CMOS电路结构，包括：分层结构，所述分层结构包括由极化层分隔开的第一氮化镓层和第二氮化镓层，其中，所述分层结构包括极化层中间表面；p沟道晶体管和n沟道晶体管中的一个，其邻近所述极化层中间表面形成；以及所述p沟道晶体管和n沟道晶体管中的另一个，其形成在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层中的一个上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种CMOS电路结构，包括：分层结构，所述分层结构包括由极化层分隔开的第一氮化镓层和第二氮化镓层，其中，所述分层结构包括极化层中间表面；p沟道晶体管和n沟道晶体管中的一个，其邻近所述极化层中间表面形成；以及所述p沟道晶体管和n沟道晶体管中的另一个，其形成在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层中的一个上。2.根据权利要求1所述的CMOS电路结构，其中，所述p沟道晶体管为增强模式晶体管。3.根据权利要求1或2所述的CMOS电路结构，其中，所述n沟道晶体管为增强模式晶体管。4.根据权利要求1所述的CMOS电路结构，其中，所述极化层选自由以下材料构成的组：氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铟镓、氮化铝、以及氮化铝铟镓。5.根据权利要求1所述的CMOS电路结构，还包括应变材料层，其中，所述第一氮化镓层邻接所述应变材料层。6.根据权利要求5所述的CMOS电路结构，其中，所述应变材料层选自由以下材料构成的组：氮化铝、氮化铝铟、氮化铝镓、以及氮化铝铟镓。7.根据权利要求1所述的CMOS电路结构，其中，所述分层结构包括邻近所述极化层位于所述第一氮化镓层内的2D电子气和位于所述第二氮化镓层内的2D空穴气；并且其中，所述n沟道晶体管邻近所述极化层中间表面形成，并且所述p沟道晶体管邻近所述第二氮化镓层形成。8.根据权利要求7所述的CMOS电路结构，还包括凹陷部，所述凹陷部位于所述第二氮化镓层中，破坏所述2D空穴气的部分。9.根据权利要求1所述的CMOS电路结构，其中，所述分层结构包括邻近所述极化层位于所述第一氮化镓层内的2D电子气和位于所述第二氮化镓层内的2D空穴气；并且其中，所述p沟道晶体管邻近所述极化层中间表面形成，并且所述n沟道晶体管邻近所述第一氮化镓层形成。10.根据权利要求9所述的CMOS电路结构，还包括凹陷部，所述凹陷部位于所述第一氮化镓层中，破坏所述2D电子气的部分。11.一种制造CMOS电路结构的方法，包括：形成分层结构，所述形成分层结构包括在第一氮化镓层上沉积极化层以及在所述极化层上沉积第二氮化镓层；去除所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层中的一个的部分以及所述极化层的部分以形成极化层中间表面；在所述极化层中间表面上形成p沟道晶体管和n沟道晶体管中的一个；以及在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层中的一个的剩余部分上形成所述p沟道晶体管和所述n沟道晶体管中的另一个。12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述p沟道晶体管包括形成p沟道增强模式晶体管。13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，形成所述n沟道晶体管包括形成n沟道增强模式晶体管。14...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·W·田，S·达斯古普塔，M·拉多萨夫列维奇，R·周，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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