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CMOS电路可以使用p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管来形成，其中，p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管两者都形成在单个分层结构上，该单个分层结构包括沉积在第一氮化镓层上的极化层和沉积在极化层上的第二氮化镓层。在同一层结构上具有n沟道...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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