FINFET器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种FinFET器件，FinFET器件包括具有至少一个鳍的衬底、栅极堆叠件、间隔件、应变层和复合蚀刻停止层。栅极堆叠件横跨至少一个鳍。间隔件在栅极堆叠件的侧壁上。应变层在衬底中并位于栅极堆叠件旁边。复合蚀刻停止层在间隔件上和应变层上。此外，复合蚀刻停止层在间隔件上较厚但是在应变层上较薄。本发明专利技术实施例涉及FINFET器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
FINFET器件及其形成方法
本专利技术实施例涉及FINFET器件及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代IC都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大了而几何尺寸(即，使用制造工艺可以做出的最小的元件(或线))减小了。该按比例缩小工艺通常因提高生产效率和降低相关成本而提供益处。这种按比例缩小工艺还增加了处理和制造IC的复杂性并且，为了实现这些进步，需要IC处理和制造方面的相似进步。例如，已经引入诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管以代替平面晶体管。尽管现有的FinFET器件以及制造FinFET器件的方法一般能够满足它们的期望目的，但是它们还不能完全满足所有方面的要求。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管器件，包括：衬底，具有至少一个鳍；栅极堆叠件，横跨所述至少一个鳍；间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上；应变层，位于所述衬底中并且位于所述栅极堆叠件旁边；以及复合蚀刻停止层，位于所述间隔件上和所述应变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管器件，包括：衬底，具有至少一个鳍；栅极堆叠件，横跨所述至少一个鳍；间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上；应变层，位于所述衬底中并且位于所述栅极堆叠件旁边；以及复合蚀刻停止层，位于所述间隔件上和所述应变层上，其中，所述复合蚀刻停止层在所述间隔件上较厚但是在所述应变层上较薄。

【技术特征摘要】
2016.01.29 US 15/009,8321.一种鳍式场效应晶体管器件，包括：衬底，具有至少一个鳍；栅极堆叠件，横跨所述至少一个鳍；间隔件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢文佳，罗以君，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71