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本发明提供了一种FinFET器件，FinFET器件包括具有至少一个鳍的衬底、栅极堆叠件、间隔件、应变层和复合蚀刻停止层。栅极堆叠件横跨至少一个鳍。间隔件在栅极堆叠件的侧壁上。应变层在衬底中并位于栅极堆叠件旁边。复合蚀刻停止层在间隔件上和应变...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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