不对称半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术的态样提供不对称半导体装置及其形成方法。该不对称半导体装置可包括：衬底；以及设于该衬底上的鳍式场效应晶体管(FINFET)，该FINFET包括：邻近栅极设置的一组鳍片；设于该组鳍片的源极区上的第一外延区，该第一外延区具有第一高度；以及设于该组鳍片的漏极区上的第二外延区，该第二外延区具有第二高度，其中，该第一高度不同于该第二高度。

【技术实现步骤摘要】
不对称半导体装置及其形成方法
本专利技术涉及不对称半导体装置，尤其涉及不对称鳍式场效应晶体管(fin-shapedfieldeffecttransistor；FINFET)及其形成方法。
技术介绍
外部电阻及边缘电容降低FINFET装置的性能。外延区设于FINFET装置的源极及漏极上方。通常，这些外延区具有相同的尺寸(例如宽度及高度)。然而，基于该外延区的尺寸，在装置电阻与装置电容之间有权衡取舍。尤其，当外延区的尺寸增加时，其具有较低的扩散电阻但较高的扩散电容。当外延区的尺寸减小时，其具有较高的扩散电阻但较低的扩散电容。
技术实现思路
本专利技术的第一态样提供一种不对称半导体装置。该不对称半导体装置可包括：衬底；以及设于该衬底上的鳍式场效应晶体管(FINFET)，该FINFET包括：邻近栅极设置的一组鳍片；设于该组鳍片的源极区上的第一外延区，该第一外延区具有第一高度；以及设于该组鳍片的漏极区上的第二外延区，该第二外延区具有第二高度，其中，该第一高度不同于该第二高度。本专利技术的第二态样提供一种形成不对称半导体装置的方法。该方法可包括：在衬底上形成鳍式场效应晶体管(FINFET)，该FIN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称半导体装置，包括：衬底；以及鳍式场效应晶体管(FINFET)，设于该衬底上，该FINFET包括：一组鳍片，邻近栅极设置；第一外延区，设于该组鳍片的源极区上，该第一外延区具有第一高度；以及第二外延区，设于该组鳍片的漏极区上，该第二外延区具有第二高度，其中，该第一高度不同于该第二高度。

【技术特征摘要】
2015.09.14 US 14/853,3731.一种不对称半导体装置，包括：衬底；以及鳍式场效应晶体管(FINFET)，设于该衬底上，该FINFET包括：一组鳍片，邻近栅极设置；第一外延区，设于该组鳍片的源极区上，该第一外延区具有第一高度；以及第二外延区，设于该组鳍片的漏极区上，该第二外延区具有第二高度，其中，该第一高度不同于该第二高度。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一高度大于该第二高度。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一高度等于约30纳米(nm)至约70纳米，且该第二高度等于约20纳米至约60纳米。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该漏极区离子注入有抑制剂。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该源极区离子注入有促进剂。6.一种形成不对称半导体装置的方法，该方法包括：在衬底上形成鳍式场效应晶体管(FINFET)，该FINFET具有与一组鳍片垂直的栅极，各鳍片具有位于该栅极的相对侧上的源极区及漏极区；以及形成位于各鳍片的该源极区上的第一外延区以及位于各鳍片的该漏极区上的第二外延区，其中，该第一外延区具有第一高度，该第一高度不同于该第二外延区的第二高度。7.如权利要求6所述的方法，其中，所述形成该第一外延区及第二外延区包括：在该组鳍片上形成掩膜，以暴露该组鳍片的第一区；在该暴露第一区上引入第一材料；自该组鳍片移除该掩膜的其余部分；在该组鳍片的该第一区及该第二区上方生长外延层。8.如权利要求7所述的方法，其中：所述形成该掩膜包括暴露该漏极区，所述引入该第一材料包括在该漏极区上引入抑制剂，以及该第一高度大于该第二高度。9.如权利要求7所述的方法，其中：所述形成该掩膜包括暴露该源极区，所述引入该第一材料包括在该源极区上沉积促进剂，以及其中，该第一高度大于该第二高度。10.如权利要求6所述的方法，其中，所述形成该第一外延区及第二外延区包括：在该组鳍片上形成第一掩膜，以暴露该组鳍片的第一区；在该暴露第一区上生长第一外延层；自该组鳍片移除该第一掩膜；在该组鳍片上形成第二掩膜，以暴露该组鳍片的第二区；以及在该暴露第二区上生长第二外延层。11.如权利要求10所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·I·朱，J·R·霍尔特，A·库马尔，H·K·乌托莫，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY