毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明专利技术包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触，两欧姆接触之间为肖特基接触，在形成的欧姆接触和肖特基接触上用晶片键合的方法粘合石英基片，形成二次衬底。本发明专利技术能够降低器件的反射损耗和传输损耗，获得更高调制深度的器件。

【技术实现步骤摘要】
毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法
本专利技术属于半导体器件
，尤其涉及一种毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法。
技术介绍
以Si、GaAs、V2O5、GaN等传统半导体材料为基础的太赫兹直接调制器件由于受到材料本身介电常数大的限制，在信号差损上很难再有进一步的提高。近年来衬底替换技术在GaN半导体器件中发展迅猛，可以将外延材料原有的高电磁损耗的衬底替换为低损耗衬底，因此在毫米波、太赫兹波空间调制电子器件领域极具发展潜力，是目前国际上的热点。由于GaN材料生长一般采用蓝宝石、碳化硅或硅衬底，这些衬底材料的介电常数都在10左右，对于毫米波和太赫兹波的损耗比较大，同时信号从空气进入器件时，大约有50%的电磁波被反射回去，严重限制了调制器性能提升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法，能够降低器件的反射损耗和传输损耗，获得更高调制深度的器件。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种毫米波及太赫兹波直接调制器，包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触，两欧姆接触之间为肖特基接触，在形成的欧姆接触和肖特基接触上用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波及太赫兹波直接调制器，其特征在于，包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触（1），两欧姆接触（1）之间为肖特基接触（2），在形成的欧姆接触（1）和肖特基接触（2）上用晶片键合的方法粘合石英基片，形成二次衬底。

【技术特征摘要】
1.一种毫米波及太赫兹波直接调制器，其特征在于，包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触（1），两欧姆接触（1）之间为肖特基接触（2），在形成的欧姆接触（1）和肖特基接触（2）上用晶片键合的方法粘合石英基片，形成二次衬底。2.一种如权利要求1所述的毫米波及太赫兹波直接调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：一、在一次衬底上生长外延层；二、在外延层上光刻出有源区台面，采用离子注入或ICP刻蚀，实现有源区台面隔离；三、在有源区台面两侧通过光刻制作欧姆接触区域，依次蒸发金属层钛、铝、镍、金、或钛、铝、铂、金金属层，剥离后，通过高温快速退火形成欧姆接触（1）；在有源区台面上蒸发Ti、Au金属，形成肖特基接触（2）；四、在步骤一形成的外延层上光刻出人工电磁结构，并进行金属化和剥离工艺，首次制成调制器；五、将双面抛光的石英基片与首次制成的调制器的正面进行晶片键合，形成二次衬底；六、去掉一次衬底；七、根据工作频段的需要，将石英基片背面减薄和划片，获得最终的直接调制器。3.根据权利要求2所述的毫米波及...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁士雄，王俊龙，张立森，杨大宝，徐鹏，赵向阳，房玉龙，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13