开关元件制造技术

本发明专利技术提供一种能够有效地对电场集中在栅电极与漏极之间区域的一部分处的情况进行抑制的开关元件。该开关元件具有：电子传输层；电子供给层，其被配置于所述电子传输层之上，且与所述电子传输层形成异质结；源极，其与所述电子供给层相接；漏极，其在与所述源极分离的位置处与所述电子供给层相接；第一栅电极，其位于所述电子供给层的上部且从上侧进行俯视观察时位于所述源极与所述漏极之间。所述第一栅电极与所述漏极在所述电子供给层的上部处电连接。所述开关元件具有与所述第一栅电极和所述漏极之间的电阻相比而较低的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
开关元件
本说明书所公开的技术涉及一种开关元件。
技术介绍
在日本特开2010-109117号公报中，公开了一种具有GaN层和AlGaN层的开关元件。GaN层与AlGaN层形成异质结。因此，在GaN层和AlGaN层的界面上形成有二维电子气体(以下，也称为2DEG)。在AlGaN层之上配置有栅电极。当使栅极电位低于阈值时，栅电极的下部的2DEG将消失。于是，异质结的2DEG向漏极侧和源极侧被分离。因此，电流不会在漏极与源极之间流通。即，开关元件断开。当使栅极电位高于阈值时，在栅电极的下部将出现2DEG，从而漏极与源极之间通过2DEG而被连接。因此，电流在漏极与源极之间流通。即，开关元件导通。以此方式，通过对栅极电位进行控制，从而能够使开关元件进行开关。另外，也存在上述的阈值高于0V(即，与源极为同电位)和低于0V的情况。阈值高于0V的开关元件为常闭型，阈值低于0V的开关元件为常开型。此外，也存在于异质结上形成有二维孔气体(以下，也称为2DHG)的开关元件。使用二维孔气体的开关元件在使栅极电位低于阈值的情况下被设为导通，在使栅极电位高于阈值的情况下被设为断开。在上述的任意的开关元件中，当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关元件，具有：电子传输层；电子供给层，其位于所述电子传输层之上，且与所述电子传输层形成异质结；源极，其与所述电子供给层相接；漏极，其在与所述源极分离的位置处与所述电子供给层相接；第一栅电极，其位于所述电子供给层的上部且在从上侧进行俯视观察时位于所述源极与所述漏极之间，并且在所述电子供给层的上部处与所述漏极电连接，所述开关元件的导通电阻与所述第一栅电极和所述漏极之间的电阻相比而较低。

【技术特征摘要】
2015.11.05 JP 2015-2177911.一种开关元件，具有：电子传输层；电子供给层，其位于所述电子传输层之上，且与所述电子传输层形成异质结；源极，其与所述电子供给层相接；漏极，其在与所述源极分离的位置处与所述电子供给层相接；第一栅电极，其位于所述电子供给层的上部且在从上侧进行俯视观察时位于所述源极与所述漏极之间，并且在所述电子供给层的上部处与所述漏极电连接，所述开关元件的导通电阻与所述第一栅电极和所述漏极之间的电阻相比而较低。2.如权利要求1所述的开关元件，其中，具有电阻层，所述电阻层位于所述电子供给层的上部且在从上侧进行俯视观察时位于所述第一栅电极与所述漏极之间并且与所述第一栅电极以及所述漏极相比电阻率较高，对所述第一栅电极与所述漏极进行电连接的路径中的至少一部分为所述电阻层。3.如权利要求2所述的开关元件，其中，还具有第一绝缘层，所述电阻层具有第一电阻层和第二电阻层，所述第一绝缘层对所述第一电阻层进行覆盖，所述第二电阻层位于所述第一绝缘层之上，在从上侧进行俯视观察时，所述第一电阻层的一部分与所述第二电阻层的一部分重叠，在所述第一电阻层与所述第二电阻层重叠的位置处，设有贯穿所述第一绝缘层而对所述第一电阻层与所述第二电阻层进行连接的接触孔，对所述第一栅电极与所述漏极进行电连接的路径中的至少一部分为所述第一电阻层、所述第二电阻层以及所述接触孔。4.如权利要求3所述的开关元件，其中，在从上侧进行俯视观察时，所述第二电阻层在未设置所述接触孔的位置处具有与所述第一电阻层重叠的部分。5.如权利要求2至4中的任意一项所述的开关元件，其中，还具有：第二绝缘层，其位于所述电阻层之上；配线，其位于所述第二绝缘层之上。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：大川峰司，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP