半导体功率元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体功率元件，包含：基板；主动区，具有凹陷区，位于基板上方；第一导电型半导体层，位于凹陷区上方，不与凹陷区相互重叠；栅极，位于该主动区上方，部分设置于凹陷区中；一介电层，位于主动区与栅极之间；以及二维电子气，形成于主动区之中。

【技术实现步骤摘要】
半导体功率元件
本专利技术涉及一种半导体元件，更具体而言，是涉及一种半导体功率元件。
技术介绍
近几年来，由于高频及高功率产品的需求与日俱增，以氮化镓为材料的半导体功率元件，如氮化铝镓-氮化镓(AlGaN/GaN)，因具高速电子迁移率、可达到非常快速的切换速度、可于高频、高功率及高温工作环境下操作的元件特性，故广泛应用在电源供应器(powersupply)、DC/DC整流器(DC/DCconverter)、DC/AC换流器(AC/DCinverter)以及工业运用，其领域包含电子产品、不断电系统、汽车、马达、风力发电等。
技术实现思路
本专利技术是关于一种半导体功率元件，包含一基板；一主动区具有一凹陷区，位于基板上方；一第一导电型半导体层位于主动区上方，不与该凹陷区相互重叠；一栅极位于主动区上方，部分设置于凹陷区中；一介电层位于主动区以及栅极之间；以及一二维电子气形成于主动区之中。为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术第一实施例的半导体功率元件的上视图；图2A为本专利技术第二实施例的半导体单元的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率元件，包含：基板；主动区，具有一凹陷区，位于该基板上方；第一导电型半导体层，位于该凹陷区上方，不与该凹陷区相互重叠；栅极，位于该主动区上方，部分设置于该凹陷区中；介电层，位于该主动区与该栅极之间；以及二维电子气，形成于该主动区之中。

【技术特征摘要】
2015.10.28 TW 1041353491.一种半导体功率元件，包含：基板；主动区，具有一凹陷区，位于该基板上方；第一导电型半导体层，位于该凹陷区上方，不与该凹陷区相互重叠；栅极，位于该主动区上方，部分设置于该凹陷区中；介电层，位于该主动区与该栅极之间；以及二维电子气，形成于该主动区之中。2.如权利要求1所述的半导体功率元件，该第一导电型半导体层是一p型导电型半导体层，具有一载流子浓度大于1E16cm-3，且小于1E18cm-3。3.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该主动区包括通道层以及阻障层，该二维电子气形成靠近该通道层与该主障层间的一界面。4.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该介电层位于该第一导电型半导体层以及该栅极电极之间，且设置于该凹陷区中。5.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该凹陷区具有一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林奕志，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71