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本发明公开一种半导体功率元件，包含：基板；主动区，具有凹陷区，位于基板上方；第一导电型半导体层，位于凹陷区上方，不与凹陷区相互重叠；栅极，位于该主动区上方，部分设置于凹陷区中；一介电层，位于主动区与栅极之间；以及二维电子气，形成于主动区之中...
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