通过部分熔化升高的源极‑漏极的晶体管的脉冲激光退火工艺制造技术
【技术实现步骤摘要】
通过部分熔化升高的源极-漏极的晶体管的脉冲激光退火工艺本申请是申请日为2011年12月19日、专利技术名称为“通过部分熔化升高的源极-漏极的晶体管的脉冲激光退火工艺”的专利申请201180075630.X的分案申请。
本专利技术的实施例涉及晶体管，更具体而言，涉及对晶体管的升高的源极和/或升高的漏极的激光退火。
技术介绍
尽管用于晶体管源极和/或漏极(即源极/漏极)的形成的激光“熔化”退火工艺是已知的，但是它们在大体积逻辑器件制造中并不典型。脉冲激光退火工艺的一种可预见的应用是使源极/漏极内的半导体材料熔化。相对于其他形式的不使半导体熔化的退火，熔化物有利地提高了掺杂剂的活化，由此改善了晶体管的参数，例如，外电阻(Rext)、比接触电阻(Rc)等。之所以有可能在平面架构内存在熔化物，部分原因在于晶体半导体衬底或者有可能是绝缘场电介质包围了所述源极/漏极的侧面，从而形成了能够容纳熔化物的“碗”。对于(例如)其中形成了半导体鳍状物结构的非平面架构而言，通常使源极/漏极较周围提高，因而激光熔化退火能够使得升高的源极/漏极发生流动，从而失去其预期形状、与晶体管沟道区的结构...
【技术保护点】
一种晶体管，包括：半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区；以及半导体源极/漏极，其耦合至所述沟道区并被设置在所述沟道区的相对端上，其中，所述栅极堆叠被设置于所述相对端之间，其中，所述半导体源极/漏极包括熔化深度以上的超活化掺杂剂区和所述熔化深度以下的活化掺杂剂区，与所述活化掺杂剂区的活化掺杂剂浓度相比，所述超活化掺杂剂区具有较高的活化掺杂剂浓度。
【技术特征摘要】
1.一种晶体管，包括：半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区；以及半导体源极/漏极，其耦合至所述沟道区并被设置在所述沟道区的相对端上，其中，所述栅极堆叠被设置于所述相对端之间，其中，所述半导体源极/漏极包括熔化深度以上的超活化掺杂剂区和所述熔化深度以下的活化掺杂剂区，与所述活化掺杂剂区的活化掺杂剂浓度相比，所述超活化掺杂剂区具有较高的活化掺杂剂浓度。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述超活化掺杂剂区内的所述较高的活化掺杂剂浓度是常数，而活化掺杂剂区内的所述活化掺杂剂浓度不是常数。3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述熔化深度不接触所述半导体衬底。4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述超活化掺杂剂区是利用第一半导体材料形成的，并且所述活化掺杂剂区是利用第二半导体材料形成的，其中所述第一半导体材料不同于所述第二半导体材料。5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述第一半导体材料的熔点比所述第二半导体材料的熔点低。6.一种晶体管，包括：半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区；以及半导体源极/漏极区，其耦合至所述沟道区并被设置在所述沟道区的相对侧上，其中，所述栅极堆叠被设置于所述相对侧之间，其中，所述半导体源极/漏极区包括被设置在第二半导体材料上的第一半导体材料，其中所述第一半导体材料的熔点比所述第二半导体材料的熔点低。7.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述第一半导体材料与所述第二半导体材料相比具有较高的活化掺杂剂浓度。8.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述半导体衬底是利用第三半导体材料形成的，其中所述第三半导体材料不同于所述第二半导体材料。9.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料形成在所述沟道区之上。10.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述第二半导体材料被形成为与所述沟道区直接相邻。11.一种晶体管，包括：半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区，所述半导体衬底是利用第一半导体材料形成的；形成在所述衬底中并位于所述沟道区的相对侧上的凹陷；源极/漏极区，其设置在所述凹陷上并耦合至所述沟道区，所述源极/漏极区是利用第二半导体材料形成的，所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料，所述半导体源极/漏极区包括熔化深度以上的超活化掺杂剂区和所述熔化深度以下的活化掺杂剂区，与所述活化掺杂剂区的活化掺杂剂浓度相比，所述超活化掺杂剂区具有较高的活化掺杂剂浓度。12.根据权利要求11所述的晶体管，其中，所述超活化掺杂剂区内的所述较高的活化掺杂剂浓度是常数，而活化掺杂剂区内的所述活化掺杂剂浓度不是常数。13.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·詹森，T·加尼，M·刘，H·肯内尔，R·詹姆斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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