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一种包括部分熔化的提高半导体源极/漏极的非平面晶体管，所述提高半导体源极/漏极被设置在半导体鳍状物的相对端上，其中，栅极堆叠设置于所述相对端之间。所述的升高的半导体源极/漏极包括处于熔化深度以上的超活化掺杂剂区以及处于熔化深度以下的活化掺杂...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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