用于制造FinFET和半导体器件的方法及半导体器件技术

衬底被图案化以形成沟槽，并且在沟槽之间形成半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体，并且形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体。在介电层上形成伪栅极带。间隔件形成在伪栅极带的侧壁上。伪栅极带和在下方的介电层被移除，直至暴露出间隔件、半导体鳍的一部分和绝缘体的一部分的侧壁。有选择地形成第二介电层以覆盖半导体鳍的暴露部分，其中介电层的厚度小于第二介电层的厚度。在间隔件之间形成栅极以覆盖第二介电层、间隔件的侧壁和绝缘体的暴露部分。本发明专利技术实施例提供了用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法、用于制造半导体器件的方法以及半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
用于制造FinFET和半导体器件的方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及用于制造FinFET和半导体器件的方法及半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件的尺寸不断缩小，诸如鳍式场效应晶体管(FinFETs)的三维多栅极结构已经被研发以代替平面的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。FinFET的结构特征是从衬底的表面竖直向上延伸的基于硅的鳍，并且包围由鳍形成的导电沟道的栅极进一步提供沟道上更好的电气控制。对于短沟道(即沟道长度小于50nm)FinFET的栅极替换工艺，覆盖基于硅的鳍的氧化层的一部分需要被蚀刻掉并且被后续沉积的高k介电层代替。然而，氧化层的高蚀刻量包括对于后续形成的金属栅极的漏电路径和挤压路径。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：图案化衬底以在衬底中形成多个沟槽，并且在沟槽之间形成半导体鳍；在沟槽中形成多个绝缘体；形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体；在介电层上形成伪栅极带，伪栅极带的纵向方向与半导体鳍的纵向方向不同；在伪栅极带的侧壁上形成一对间隔件；移除伪栅极带并且减薄在下方的介电层以在一对间隔件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：图案化衬底以在所述衬底中形成多个沟槽，并且在所述沟槽之间形成半导体鳍；在所述沟槽中形成多个绝缘体；形成介电层以覆盖所述半导体鳍和所述绝缘体；在所述介电层上形成伪栅极带，所述伪栅极带的纵向方向与所述半导体鳍的纵向方向不同；在所述伪栅极带的侧壁上形成一对间隔件；移除所述伪栅极带并且减薄在下方的所述介电层以在所述一对间隔件之间形成减薄部分；以及在所述一对间隔件之间形成栅极以覆盖所述减薄部分和所述一对间隔件的侧壁。

【技术特征摘要】
2015.11.30 US 14/953,4271.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：图案化衬底以在所述衬底中形成多个沟槽，并且在所述沟槽之间形成半导体鳍；在所述沟槽中形成多个绝缘体；形成介电层以覆盖所述半导体鳍...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71