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衬底被图案化以形成沟槽，并且在沟槽之间形成半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体，并且形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体。在介电层上形成伪栅极带。间隔件形成在伪栅极带的侧壁上。伪栅极带和在下方的介电层被移除，直至暴露出间隔件、半导体鳍的一部分和绝缘体的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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