制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造半导体器件的方法，防止了当用一个半导体晶圆制造具有晶体管的预定数量的半导体芯片时，由于用半导体晶圆制造过量的半导体芯片，导致半导体器件的制造成本增加。在可通过一个曝光步骤被曝光的曝光区中的第一芯片形成区中形成包括具有第一面积的第一发射极区的第一双极晶体管，并且在曝光区中的第二芯片形成区中包括形成具有与第一面积不同的第二面积的第二发射极区的第二双极晶体管。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用包括说明书、附图和摘要的、2015年10月30日提交的日本专利申请No.2015-215001的公开的全部内容以引用方式并入本文中。
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法。例如，本专利技术可用于制造具有双极晶体管的半导体器件。
技术介绍
将用于电流放大的晶体管的每个具有放大因子(hFE)，放大因子(hFE)的值对应于晶体管的规格。作为抑制半导体器件的制造过程中由一个半导体晶圆形成的多个晶体管之间的放大因子hFE特性变化的方法，已知的是在用于扩散引入半导体衬底中的杂质的热处理步骤中，使用立式炉替代卧式炉。日本未审专利申请公开No.平成5(1993)-67739描述了半导体晶圆的表面的部分被掩模覆盖，并且一些晶体管的发射极区被进行结晶学上或冶金学上的改性，由此这些晶体管的每个的放大因子hFE有所不同。
技术实现思路
可用一个半导体晶圆制作大量半导体芯片，各半导体芯片包括具有预定hFE特性的晶体管。如果以这种方式制作的半导体芯片之中有少量半导体芯片是必需的，则也用该半导体晶圆制作的剩余半导体芯片不是必需的。近来，随着半导体晶圆的直径增大，能用一个半导体晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)设置具有第一导电类型的半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的顶部上方，形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一半导体区；(c)在所述第一半导体区的顶部上方，形成具有所述第一导电类型的第二半导体区和具有所述第一导电类型的第三半导体区；以及(d)将所述半导体衬底划分成个体块，由此形成第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第二半导体区，所述第二半导体芯片包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第三半导体区；其中，从平面图来看，所述第...

【技术特征摘要】
2015.10.30 JP 2015-2150011.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)设置具有第一导电类型的半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的顶部上方，形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一半导体区；(c)在所述第一半导体区的顶部上方，形成具有所述第一导电类型的第二半导体区和具有所述第一导电类型的第三半导体区；以及(d)将所述半导体衬底划分成个体块，由此形成第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第二半导体区，所述第二半导体芯片包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第三半导体区；其中，从平面图来看，所述第二半导体区的面积小于所述第三半导体区的面积。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(c)中，具有所述第一导电类型的杂质被引入到所述半导体衬底的顶部中，由此形成所述第二半导体区和所述第三半导体区，以及其中，所述方法还包括以下步骤：(d1)在步骤(c)之后，用立式炉加热所述半导体衬底。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一晶体管的放大因子小于所述第二晶体管的放大因子。4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)还包括以下步骤：(c1)形成覆盖所述半导体衬底的顶部的绝缘膜；(c2)在所述绝缘膜上方形成感光膜；(c3)对所述感光膜执行曝光和显影，由此去除所述感光膜的一部分，以暴露所述绝缘膜的顶部；(c4...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田真一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP