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本发明公开了一种制造半导体器件的方法，防止了当用一个半导体晶圆制造具有晶体管的预定数量的半导体芯片时，由于用半导体晶圆制造过量的半导体芯片，导致半导体器件的制造成本增加。在可通过一个曝光步骤被曝光的曝光区中的第一芯片形成区中形成包括具有第一...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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