用于制造掺杂的多晶半导体层的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造掺杂的多晶半导体层的方法本专利技术涉及用于在半导体衬底上制造掺杂的多晶半导体层的方法、根据该方法获得的半导体以及其用途，特别是在太阳能电池中。各种应用需要掺杂的半导体层，例如在光伏电池中。光伏电池基于通过入射光在半导体中产生自由电荷载体。对于这些电荷载体的电学利用（电子和空穴的分离），需要半导体中的p-n结。通常，硅用作半导体。所使用的硅晶片通常具有基础掺杂，例如用硼（p-型）。通常，通过在约900℃的温度下从气相向内扩散磷（n-型掺杂剂）而产生p-n结。两种半导体类型（p和n）与金属触点接触，用于提取相应的电荷载体。然而，基于这种硅晶片的太阳能电池的效率通常由于在金属和半导体之间的接触处的电荷载体的复合而受到限制。可以例如通过使用非晶硅层来防止这种复合。但是非晶硅的缺点是低的温度稳定性，这不允许使用生产太阳能电池的标准工艺。因此，必须使用特定匹配的、昂贵的替代方法，由此增加了太阳能电池的制造成本。因此，现有技术中已知的替代方案是使用在其上沉积高掺杂的多晶硅层的超薄氧化物层。该策略的优点在于，由此同样显著地降低金属-半导体接触处的复合，并且即使在1050℃的...
【技术保护点】
用于在半导体衬底上制造掺杂的多晶半导体层的液相方法，其特征在于，‑ 将包含如下的第一前体组合物：(i) 第一掺杂剂；和(ii) 至少一种在SATP条件下呈液态的含硅的前体或者至少一种溶剂和至少一种在SATP条件下呈液态或固态的含硅的前体；施加到所述半导体衬底的表面的一个或多个区域上，从而产生一个或多个被所述第一前体组合物涂覆的半导体衬底表面区域；‑ 任选地将包含如下的第二前体组合物：(i) 第二掺杂剂；和(ii) 至少一种在SATP条件下呈液态的含硅的前体或者至少一种溶剂和至少一种在SATP条件下呈液态或固态的含硅的前体；施加到所述半导体衬底的表面的一个或多个区域上，从而产...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.18 DE 102014223465.41.用于在半导体衬底上制造掺杂的多晶半导体层的液相方法，其特征在于，-将包含如下的第一前体组合物：(i)第一掺杂剂；和(ii)至少一种在SATP条件下呈液态的含硅的前体或者至少一种溶剂和至少一种在SATP条件下呈液态或固态的含硅的前体；施加到所述半导体衬底的表面的一个或多个区域上，从而产生一个或多个被所述第一前体组合物涂覆的半导体衬底表面区域；-任选地将包含如下的第二前体组合物：(i)第二掺杂剂；和(ii)至少一种在SATP条件下呈液态的含硅的前体或者至少一种溶剂和至少一种在SATP条件下呈液态或固态的含硅的前体；施加到所述半导体衬底的表面的一个或多个区域上，从而产生一个或多个被所述第二前体组合物涂覆的半导体衬底表面区域，其中所述一个或多个被第一前体组合物涂覆的区域与所述一个或多个被第二前体组合物涂覆的区域不同并且没有或基本上没有重叠，和其中所述第一掺杂剂是n-型掺杂剂和所述第二掺杂剂是p-型掺杂剂，或者反之亦然；和-将所述含硅的前体转化成多晶硅。2.根据权利要求1的方法，其特征在于，将所述第一组合物和/或任选的第二组合物借助印刷或喷涂方法施加到所述半导体衬底上。3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，(a)所述至少一种n-型掺杂剂选自含磷的掺杂剂，特别是PH3、P4、P(SiMe3)3、PhP(SiMe3)2、Cl2P(SiMe3)、PPh3、PMePh2和P(t-Bu)3，含砷的掺杂剂，特别是As(SiMe3)3、PhAs(SiMe3)2、Cl2As(SiMe3)、AsPh3、AsMePh2、As(t-Bu)3和AsH3，含锑的掺杂剂，特别是Sb(SiMe3)3、PhSb(SiMe3)2、Cl2Sb(SiMe3)、SbPh3、SbMePh2和Sb(t-Bu)3，和上述的混合物，和/或(b)所述至少一种p-型掺杂剂选自含硼的掺杂剂，特别是B2H6、BH3*THF、BEt3、BMe3、B(SiMe3)3、PhB(SiMe3)2、Cl2B(SiMe3)、BPh3、BMePh2、B(t-Bu)3和其混合物。4.根据权利要求1至3任一项的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：C马德，O旺尼克，S马滕斯，J莱姆库尔，C金特，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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