温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及在半导体衬底上制造高掺杂的多晶半导体层的方法，其中将包含至少一种第一掺杂剂的第一硅前体组合物施加到所述半导体衬底的表面的一个或多个区域上；任选地将包含至少一种第二掺杂剂的第二硅前体组合物施加到所述半导体衬底的表面的另外一个或多个区...
该专利属于赢创德固赛有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赢创德固赛有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。