暂时粘着方法以及薄型晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种暂时粘着方法，隔着暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上，使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料作为所述材料。所述材料层具有：热塑性树脂层(A)，在25℃时储存弹性模量E’是1～500MPa，拉伸断裂强度是5～50MPa；热固化性聚合物层(B)，在25℃时固化后的E’是1～1000MPa，拉伸断裂强度是1～50MPa。所述方法包含：贴合步骤，将在表面使用液状组合物(A’)形成层(A)的晶片和通过层压薄膜状树脂(B’)形成层(B)的支撑体在减压下加热贴合，或将在表面形成层(A)且在层(A)上形成层(B)的晶片与所述支撑体在减压下加热贴合；热固化步骤，使所述层(B)热固化。

Temporary adhesion method and method for manufacturing thin wafer

The invention provides a temporary adhesive method, through temporary adhesive material wafer temporarily adhered to the supporting body, using a wafer processing composite temporary adhesion material layer as the temporary adhesive material of the material. The material layer has a thermoplastic resin layer (A), storage modulus E 'is 1 ~ 500MPa at 25 DEG C, the tensile strength is 5 ~ 50MPa; thermosetting polymer layer (B), at 25 DEG C after curing E is 1 ~ 1000MPa, the tensile strength is 1 ~ 50MPa. The method includes the steps of: fit, will use a liquid composition in the surface layer (A) formation (A) of the wafer and by laminating film like resin (B) formation (B) of the supporting body heating under reduced pressure fit, or will be in the surface layer (A) and the layer (A) (B) layer formed on the wafer and the supporting body heating under reduced pressure fitting; heat curing step, the layer (B) heat curing.

【技术实现步骤摘要】
暂时粘着方法以及薄型晶片的制造方法
本专利技术涉及晶片和支撑体的暂时粘着方法及薄型晶片的制造方法。
技术介绍
为了实现更进一步的高密度、大容量化，三维半导体安装是必不可少的。三维安装技术是指以下的半导体制造技术：将一个半导体芯片薄型化，再利用硅通孔(throughsiliconvia，TSV)电极将此半导体芯片接线，并积层成多层。为了实现此项技术，需要以下步骤：通过磨削非电路形成面(也称为“背面”)，将形成有半导体电路的基板薄型化，进一步在背面上形成包含TSV的电极。以往，在硅基板的背面磨削步骤中，在磨削面的相反侧粘着有背面保护胶带，以防止磨削时损坏晶片。但是，所述胶带是将有机树脂薄膜用作支撑基材，虽然具有柔软性，但强度和耐热性不充分，并不适合实行TSV形成步骤和背面上的配线层形成步骤。因此，提出一种系统，其是通过使半导体基板隔着粘着层接合于硅、玻璃等支撑体上，而可以充分耐受背面磨削、形成TSV和背面电极等的步骤。此时，将基板接合于支撑体上时的粘着层非常重要。其需要充分的耐久性，以便能够将基板无缝接合于支撑体上，并耐受后续步骤，进一步要求最终能够从支撑体上简便地剥离薄型晶片。这样一来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种暂时粘着方法，所述方法是隔着晶片加工用暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上的方法，所述晶片在表面具有电路面且背面需加工，所述方法的特征在于，作为所述晶片加工用暂时粘着材料，使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料，所述复合暂时粘着材料层具有第一暂时粘着层与第二暂时粘着层的二层结构，所述第一暂时粘着层是由热塑性树脂层(A)构成，在25℃时的储存弹性模量E’是1～500MPa，拉伸断裂强度是5～50MPa，所述第二暂时粘着层是由热固化性聚合物层(B)构成，在25℃时的固化后的储存弹性模量E’是1～1000MPa，拉伸断裂强度是1～50MPa；并且，所述暂时粘着方法，包含下述贴合步骤以...

【技术特征摘要】
2015.10.08 JP 2015-2005661.一种暂时粘着方法，所述方法是隔着晶片加工用暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上的方法，所述晶片在表面具有电路面且背面需加工，所述方法的特征在于，作为所述晶片加工用暂时粘着材料，使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料，所述复合暂时粘着材料层具有第一暂时粘着层与第二暂时粘着层的二层结构，所述第一暂时粘着层是由热塑性树脂层(A)构成，在25℃时的储存弹性模量E’是1～500MPa，拉伸断裂强度是5～50MPa，所述第二暂时粘着层是由热固化性聚合物层(B)构成，在25℃时的固化后的储存弹性模量E’是1～1000MPa，拉伸断裂强度是1～50MPa；并且，所述暂时粘着方法，包含下述贴合步骤以及粘着步骤：所述贴合步骤，将在所述晶片的表面上形成有所述热塑性树脂层(A)的晶片以及在所述支撑体上形成有所述热固化性聚合物层(B)的支撑体，在减压下加热而贴合，所述热塑性树脂层(A)是通过使用包含热塑性树脂的液状组合物(A’)而形成在所述晶片的表面上，所述热固化性聚合物层(B)是通过层压薄膜状树脂(B’)而形成在所述支撑体上，所述薄膜状树脂(B’)是将包含热固化性聚合物的组合物形成为薄膜状而成；或者，将形成有所述热塑性树脂层(A)和所述热固化性聚合物层(B)的晶片，与所述支撑体在减压下加热而贴合，所述热塑性树脂层(A)是通过使用所述液状组合物(A’)而形成在所述晶片的表面上，所述热固化性聚合物层(B)是通过层压所述薄膜状树脂(B’)而形成在所述树脂层(A)上；所述粘着步骤，使所述热固化性聚合物层(B)热固化，而使所述热塑性树脂层(A)与所述热固化性聚合物层(B)粘着。2.如权利要求1所述的暂时粘着方法，其中，在所述贴合步骤中，在40～200℃的加热下进行贴合。3.如权利要求1所述的暂时粘着方法，其中，将所述热塑性树脂层(A)设为非硅酮热塑性树脂层。4.如权利要求2所述的暂时粘着方法，其中，将所述热塑性树脂层(A)设为非硅酮热塑性树脂层。5.如权利要求1所述的暂时粘着方法，其中，将所述热固化性聚合物层(B)设为热固化性硅氧烷改性聚合物层。6.如权利要求5所述的暂时粘着方法，其中，将所述热固化性硅氧烷改性聚合物层设为一种组合物的层，所述组合物，相对于具有由下述通式(1)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：被甲醛或甲醛-醇改性而成的氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂；在1分子中平均具有2个以上的羟甲基或烷氧羟甲基的苯酚化合物；以及，在1分子中...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田浩之，菅生道博，田边正人，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP